+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
WM02N70M
Документация

WM02N70M

Артикул:1020814
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
5 522 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
100 шт · Склад 39 · 878,00 ₽
Описание

WM02N70M — N-канальный полевой транзистор (MOSFET) производства WAYON. Компонент выполнен в компактном корпусе для поверхностного монтажа и предназначен для применения в импульсных источниках питания, схемах управления нагрузкой и преобразователях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и подходит для высокочастотной коммутации.

Технические характеристики
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
Время спада15ns
Время нарастания14ns
РазмерыA: 0.90-1.15mm; D: 2.80-3.00mm; E: 2.25-2.55mm; Индуктивность: 0.45-0.65mm; B: 0.30-0.50mm; C: 0.08-0.15mm; E: 0.95mm BSC; A1: 0.00-0.10mm; E1: 1.20-1.40mm; E1: 1.80-2.00mm; Θ: 0-8°
Код маркировки3416E
Время включения5.2ns
Esd protectedДа
Время выключения23ns
Соотв. RoHSДа
Кол-во в упаковке3000/reel
Заряд сток-затвор3.1nC
Вх. емкость850pF
Рассеиваемая мощность1.3W
Полный заряд затвора11nC
Напряжение встроенного диода1.2V
Заряд затвор-исток2nC
Выходная емкость140pF
Напряжение затвор-исток±10V
Темп. хранения-55 to +150°C
Напряжение сток-исток20V
Ток утечки затвора±10µA
Темп. перехода150°C
Импульсный ток стока24A
Drain cut off current1µA
Пороговое напряжение затвора0.4V to 1.0V
Непрерывный ток стока7A
Сопротивление сток-исток25mΩ @ VGS=4.5V, 30mΩ @ VGS=2.5V
Обратная проходная емкость105pF
Напряжение пробоя сток-исток20V
Термосопротивление переход-среда96°C/W
Обратное напряжение, В700

Заметили ошибку в описании или параметрах?