Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 5.А
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
30 924 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт5,76 ₽
Сумма576,00 ₽
В наличии22 987 шт
от 100 штюрлицам и ИП
от 700 — 4,78 ₽ (−17%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии7 937 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
продаётся от 200 штпри 200 — 6,73 ₽
100 шт · Склад 39 · 576,00 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от WAYON. Работает при напряжении сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 5 А. Выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench LV MOSFET |
| Описание | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Артикул | WM02N50M |
| Время спада | 12ns |
| Производитель | Way-on |
| Код маркировки | R20 |
| Время нарастания | 20ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Размеры a макс. | 1.15mm |
| Мин. размер A | 0.90mm |
| Размеры b макс. | 0.50mm |
| Размер B мин. | 0.30mm |
| Размеры c макс. | 0.15mm |
| Размер C мин. | 0.08mm |
| Макс. размер D | 3.00mm |
| Мин. размер D | 2.80mm |
| Dimensions e bsc | 0.95mm |
| Размер E макс | 2.55mm |
| Размер E мин | 2.25mm |
| Размер l справочный | 0.55mm |
| Размер A1 макс | 0.10mm |
| Размер A1 мин | 0.00mm |
| Dimensions e1 bsc | 1.90mm |
| Размер E1 макс | 1.40mm |
| Размер E1 мин | 1.20mm |
| Количество в упаковке | 3k/Reel |
| Макс. Rds(on) при Vgs 1,8 В | 57mΩ |
| Rds(on) при Vgs 1,8 В, тип. | 32mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 2,5 В | 35mΩ |
| Сопротивление сток-исток при Vgs 2,5 В, тип. | 21mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 24mΩ |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 16mΩ |
| Угол наклона выводов макс | 8° |
| Угол наклона выводов мин | 0° |
| Рассеиваемая мощность Pd | 1.25W |
| Общий заряд затвора (Qg) | 10.5nC |
| Примечание | code: R20 |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 2.5nC |
| Напряжение диода корпуса, В | 1.2V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 2nC |
| Входная ёмкость Ciss | 700pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±12V |
| Выходная ёмкость Coss | 120pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение сток-исток, В | 20V |
| Импульсный ток стока | 20A |
| Задержка включения (td on) | 10ns |
| Drain cutoff current idss | 1µA |
| Gate leakage current igss | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Задержка выключения | 32ns |
| Длительный ток стока | 5A |
| Непрерывный ток истока | 5A |
| Описание (англ.) | N-Channel MOSFET Vds= 20V, Id = 5.A |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | 1V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | 0.45V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | 0.7V |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 105pF |
| Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS) | 20V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Обратное напряжение, В | 500 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?