+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
WM02N28M
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 2.8А

Артикул:881888
У поставщика
ПроизводительWAYON
У поставщиков
225 717 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:215 426 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,60
от 1 1002,93
от 1 8002,57
от 3 0502,27
от 5 0752,07
Склад 13
В наличии:10 291 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 174 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,97
от 4403,31
от 8792,77
от 1 7572,38
от 3 0002,13
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от WAYON. Работает при напряжении сток-исток до 20 В и токе стока до 2.8 А, выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.

Технические характеристики
КорпусSOT-23-3
Тип монтажаSMD
Время спада5ns
Кол-во выводов3
Время нарастания9.8ns
ОписаниеN-Channel MOSFET
АртикулWM02N28M
Размер E0.95mm
Код маркировки2302B
Dimensions e11.80 to 2.00mm
Соотв. RoHSДа
Rds on 2 5v max100mΩ
Rds on 2 5v typ55mΩ
Rds on 4 5v max60mΩ
Rds on 4 5v typ40mΩ
Размеры a макс.1.15mm
Мин. размер A0.90mm
Размеры b макс.0.50mm
Размер B мин.0.30mm
Размеры c макс.0.15mm
Размер C мин.0.08mm
Макс. размер D3.00mm
Мин. размер D2.80mm
Размер E макс2.55mm
Размер E мин2.25mm
Dimensions l max0.65mm
Размер L мин0.45mm
Размер A1 макс0.10mm
Размер A1 мин0.00mm
Размер E1 макс1.40mm
Размер E1 мин1.20mm
Заряд сток-затвор0.7nC
Вх. емкость220pF
Рассеиваемая мощность0.7W
Полный заряд затвора2.6nC
Body diode voltage1.2V
Заряд затвор-исток0.5nC
Выходная емкость37pF
Время задержки включения12.5ns
Gate source leakage±100nA
Напряжение затвор-исток±10V
Темп. хранения-55 to 150°C
Время задержки выключения17.5ns
Угол наклона выводов макс8°
Угол наклона выводов мин0°
Напряжение сток-исток20V
Темп. перехода150°C
Импульсный ток стока10A
Примечаниеcode: 2302B
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Длительный ток стока 25°C2.8A
Обратная проходная емкость30pF
Описание (англ.)N-Channel MOSFET Vds= 20V, Id = 2.8A
Непрерывный ток стока 100°C2.2A
Напряжение пробоя сток-исток20V
Zero gate voltage drain current1µA
Gate source threshold voltage max1.2V
Gate source threshold voltage min0.4V
Gate source threshold voltage typ0.85V
Тепловое сопротивление переход-среда178°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?