Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 12В, ток стока 4.1А
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
26 883 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт5,22 ₽
Сумма522,00 ₽
В наличии20 338 шт
от 100 штюрлицам и ИП
от 749 — 4,31 ₽ (−17%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии6 545 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
продаётся от 200 штпри 200 — 6,10 ₽
100 шт · Склад 39 · 522,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от WAYON. Рабочее напряжение сток-исток до 12 В, ток стока до 4,1 А, корпус SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок в компактных устройствах, например, в портативной электронике и цепях защиты питания.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench MOSFET |
| Описание | P-канальный MOSFET |
| Артикул | WM01P41M |
| Время спада | 9.5ns |
| Код маркировки | S5 |
| Время нарастания | 32.5ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Размеры a макс. | 1.15mm |
| Мин. размер A | 0.90mm |
| Размеры b макс. | 0.50mm |
| Размер B мин. | 0.30mm |
| Размеры c макс. | 0.15mm |
| Размер C мин. | 0.08mm |
| Макс. размер D | 3.00mm |
| Мин. размер D | 2.80mm |
| Dimensions e bsc | 0.95mm |
| Размер E макс | 2.55mm |
| Размер E мин | 2.25mm |
| Dimensions l max | 0.65mm |
| Размер L мин | 0.45mm |
| Размер A1 макс | 0.10mm |
| Размер A1 мин | 0.00mm |
| Dimensions e1 bsc | 1.90mm |
| Размер E1 макс | 1.40mm |
| Размер E1 мин | 1.20mm |
| Количество в упаковке | 3k/Reel |
| Макс. Rds(on) при Vgs 1,8 В | 90mΩ |
| Rds(on) при Vgs 1,8 В, тип. | 60mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 2,5 В | 60mΩ |
| Сопротивление сток-исток при Vgs 2,5 В, тип. | 40mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 45mΩ |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 30mΩ |
| Угол наклона выводов макс | 8° |
| Угол наклона выводов мин | 0° |
| Общий заряд затвора (Qg) | 4.4nC |
| Примечание | code: S5 |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 1.5nC |
| Напряжение диода корпуса, В | -1.2V |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 1.3nC |
| Входная ёмкость Ciss | 1250pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±8V |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Выходная ёмкость Coss | 310pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение сток-исток, В | -12V |
| Импульсный ток стока | -15A |
| Температура хранения | -50 to +150°C |
| Задержка включения (td on) | 11.2ns |
| Задержка выключения | 30ns |
| Длительный ток стока | -4.1A |
| Maximum power dissipation pd | 0.35W |
| Описание (англ.) | P-Channel MOSFET Vds= 12V, Id = 4.1A |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | ±100nA |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | -0.9V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | -0.5V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | -0.7V |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 260pF |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | -1μA |
| Напряжение пробоя сток-исток, Vbrdss | -12V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?