Документация
Диод Шоттки VS-8EWF12S-M3
У поставщика
У поставщиков
48 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:48 шт
Срок поставки: до недели
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 272,49 |
| от 10 | 255,96 |
| от 19 | 242,47 |
| от 37 | 232,44 |
| от 74 | 224,97 |
Описание
Диод Шоттки VS-8EWF12S-M3 от Vishay рассчитан на прямой ток 8 А и обратное напряжение 120 В. Выполнен в корпусе TO-252AA (DPAK) для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и цепей защиты от обратной полярности.
Технические характеристики
| Тип | Диоды Шоттки |
| Серия | VS-8EWF..S-M3 Soft Recovery Series |
| Вес | 1g |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| Уровень MSL | 1 |
| Описание | Surface Mount Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 8 A |
| Артикул | VS-8EWF12S-M3 |
| Snap factor | 0.6 |
| Применение | Output rectification and freewheeling diode in inverters, choppers and converters; Input rectifications where severe restrictions on conducted EMI should be met |
| Тип компонента | Fast Soft Recovery Rectifier Diode |
| Прямое напряжение | 1.3V |
| Схема включения | Single |
| I2t fusing no voltage | 110A2s |
| I2t fusing rated vrrm | 78A2s |
| Peak solder temperature | 260°C |
| Peak surge current ifsm | 150A |
| Threshold voltage vf to | 0.93V |
| I2t fusing 0.1ms to 10ms | 1100A2s |
| Reverse recovery time trr | 80ns |
| Диап. темп. хр. | -40 to +150°C |
| Forward slope resistance rt | 25.6mOhm |
| Reverse recovery charge qrr | 1µC |
| Peak surge current with vrrm | 125A |
| Reverse recovery current irr | 4.2A |
| Reverse recovery time trr 8a | 270ns |
| Average forward current if av | 8A |
| Peak surge current conditions | 10ms sine pulse, no voltage reapplied |
| Forward voltage test conditions | 8A, TJ = 25°C |
| Maximum junction temperature tj | 150°C |
| Reverse recovery time conditions | 1A, 100A/µs |
| Reverse recovery charge conditions | TJ = 25°C |
| Maximum reverse leakage current 25c | 0.1mA |
| Reverse recovery current conditions | 25A/µs |
| Maximum reverse leakage current 150c | 4mA |
| Диапазон темп. перехода | -40 to +150°C |
| Repetitive peak reverse voltage vrrm | 1200V |
| Thermal resistance junction to case rthjc | 2.5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Maximum non repetitive peak reverse voltage vrsm | 1300V |
| Обратное напряжение, В | 1200 |
| Прямой ток, А | 8 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?