+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
VS-30BQ100-M3/9AT
Документация

ДИОДЫ VS-30BQ100-M3/9AT, Диод Шоттки VISHAY, 100V, 3А, корпус SMC(DO-214AB)

Артикул:746679
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияДиоды Шоттки
У поставщиков
58 492 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:33 100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 143,47
от 10039,02
от 1 00036,04
Склад 13
В наличии:17 792 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3500
Минимальная партия: 32 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 122,09
от 26820,24
от 53619,00
от 1 07117,92
от 2 14117,19
Склад 15
В наличии:7 600 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 100
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 10016,42
Описание

Диод Шоттки VS-30BQ100-M3/9AT от Vishay — высокоэффективный выпрямитель с барьером Шоттки на 100 В и 3 А. Компонент выполнен в компактном корпусе SMC (DO-214AB) для поверхностного монтажа. Обеспечивает малое прямое падение напряжения и высокую скорость переключения, что делает его оптимальным для импульсных источников питания и цепей защиты от обратной полярности.

Технические характеристики
ТипSchottky rectifier
Вес0.24 g
ТипДиод Шоттки
Ток, А3 А
КорпусSMC (DO-214AB)
Тип монтажаSMD
Без свинцаДа
Уровень MSLMSL level 1
Упаковка13" diameter plastic tape and reel
Weight oz0.008oz
Тип диодаSchottky Rectifier
ОписаниеHigh Performance Schottky Rectifier, 3 A
АртикулVS-30BQ100-M3
Без галогеновДа
ПроизводительVishay Semiconductors
Код упаковки9AT
Диаметр вывода0.012 in (0.305 mm)
Ширина корпуса0.260 in (6.60 mm) max
Marking device3J
Высота корпуса0.103 in (2.62 mm) max
Длина корпуса0.280 in (7.11 mm) max
Соотв. RoHSДа
Diode variationSingle die
Avalanche energy3.0 mJ
Ширина6.22mm
Высота2.62mm
Длина7.11mm
Series inductance3.0 nH
Прямое напряжение0.62V
Mounting pad width3.20mm
Mounting pad length8.13mm
Dimensions width min5.59mm
Падение напряжения0.62 V at 3 A, 125 °C
Емкость перехода115 pF at 5 V
Series inductance ls3.0nH
Напряжение, В100 В
Dimensions height min2.06mm
Dimensions length min6.60mm
Minimum order quantity3500
Voltage rate of change10000 V/μs
Средний прямой ток3.0 A
Junction capacitance ct115pF
Maximum reverse voltage100 V
Peak solder temperature260°C
Обратный ток утечки5 mA at 125 °C
Forward voltage vf 25c 3a0.79V
Forward voltage vf 25c 6a0.90V
Диап. темп. хр.-55 to +175 °C
Forward voltage vf 125c 6a0.70V
Диапазон темп. перехода-55 to +175 °C
Non repetitive surge current800 A (5 μs sine)
Voltage rate of change dv dt10000V/μs
Average forward current if av3.0A
Forward voltage vf conditionsat IF = 3.0A, TJ = 125°C
Maximum dc reverse voltage vr100V
Thermal resistance conditionsMounted 1" square PCB
Reverse leakage current ir 25c0.5mA
Junction capacitance conditionsVR = 5V, 100kHz to 1MHz, 25°C
Пиковый прямой импульсный ток800A
Reverse leakage current ir 125c5.0mA
Repetitive avalanche current iar0.5A
Прямое напряжение0.85 В
Non repetitive avalanche energy eas3.0mJ
Тепловое сопротивление переход-вывод12 °C/W
Peak forward surge current ifsm 10ms70A
Repetitive peak reverse voltage vrrm100V
Reverse leakage current ir conditionsVR = Rated VR
Термосопротивление переход-среда46 °C/W
Repetitive avalanche current conditionsCurrent decaying linearly to zero in 1μs, frequency limited by TJ maximum, VA = 1.5 x VR typical
Maximum working peak reverse voltage vrwm100V
Thermal resistance junction to lead rthjl12°C/W
Average forward current if av 4a condition4.0A at TL = 138°C, 50% duty cycle, rectangular waveform
Non repetitive avalanche energy conditionsTJ = 25°C, IAS = 1.0A, L = 6mH
Peak forward surge current ifsm conditions5μs sine or 3μs rect. pulse, following any rated load condition and with rated VRRM applied
Тепловое сопротивление переход-среда46°C/W
Peak forward surge current ifsm 10ms conditions10ms sine or 6ms rect. pulse
Максимальное постоянное обратное напряжение,В100
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А3

Заметили ошибку в описании или параметрах?