Документация
Тиристор 1200В 25А 45мА VS-25TTS12S-M3
У поставщика
ПроизводительVishay
У поставщиков
405 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:389 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 277,70 |
| от 9 | 260,98 |
| от 18 | 247,34 |
| от 36 | 237,21 |
| от 100 | 229,67 |
Склад 12
В наличии:16 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 445,05 |
| от 10 | 388,34 |
Описание
Тиристор VS-25TTS12S-M3 от Vishay работает на напряжение до 1200 В и выдерживает ток 25 А. Компонент выполнен в корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для схем фазового управления в промышленной автоматике и силовых блоках.
Технические характеристики
| Тип | Thyristor, Surface Mount, Phase Control SCR |
| Di dt | 150 A/μs |
| Dv dt | 500 V/μs |
| Цоколевка | 1 Anode, 2 Anode, 3 Cathode, Gate |
| Серия | VS-25TTS08S-M3, VS-25TTS12S-M3 Series |
| Вес | 2 g (0.07 oz) |
| Маркировка | 25TTS12S |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| I2sqrt t | 6300 A²√s |
| Тип монтажа | SMD |
| Уровень MSL | 1 |
| Кол-во выводов | 3 |
| I2t fusing | 630A²s |
| Артикул | VS-25TTS12S-M3 |
| Время включения | 0.9μs |
| Время выключения | 110μs |
| Тип компонента | Thyristor, Surface Mount, Phase Control SCR |
| Gate power peak | 8.0W |
| Ток удержания | 150mA (at 25°C) |
| Peak gate power | 8.0W |
| Voltage ratings | V drm max: 1200V; V rrm drm max: 1200V |
| I2 sqrt t fusing | 6300A²√s |
| Latching current | 200mA (at 25°C) |
| Threshold voltage | 1.0V (at 125°C) |
| Average gate power | 2.0W |
| Gate power average | 2.0W |
| Peak surge current | 350A |
| Макс. ток утечки | 10mA (at 125°C, rated voltage) |
| Gate trigger current | 45mA |
| Gate trigger voltage | 2.0V |
| Rms on state current | 25A |
| Turn on time typical | 0.9 μs (at 25°C) |
| Схема включения | Single SCR |
| On state voltage drop | 1.25V (at 16A, 25°C) |
| Peak on state voltage | 1.25V |
| Время обратного восстановления | 4μs |
| Turn off time typical | 110 μs (at 125°C) |
| Direct leakage current | 10mA |
| Обратный ток утечки | 10mA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Average on state current | 16A |
| Gate trigger current max | At 25C: 45mA; At 125C: 20mA; At minus 10C: 60mA |
| Gate trigger voltage max | At 25C: 2.0V; At 125C: 1.0V; At minus 10C: 2.5V |
| Gate current max positive | 1.5A |
| Gate voltage negative max | 10V |
| I2t for fusing no voltage | 630 A²s |
| On state slope resistance | 12.0 mΩ (at 125°C) |
| Диап. темп. хр. | -40 to +125°C |
| Диапазон темп. перехода | -40 to +125°C |
| Peak negative gate voltage | 10V |
| Peak positive gate current | 1.5A |
| Peak soldering temperature | 245°C |
| Gate current not to trigger | 2.0mA |
| Gate voltage not to trigger | 0.25V |
| Surge current non repetitive | 350A (10ms sine pulse, no voltage reapplied) |
| Описание (англ.) | Thyristor SCR Phase Control Thyristor 1.2kV 350A |
| Reverse recovery time typical | 4 μs (at 125°C) |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Surge current with rated voltage | 300A (10ms sine pulse) |
| I2t for fusing with rated voltage | 450 A²s |
| Repetitive peak off state voltage | 1200V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.1°C/W |
| Output current three phase bridge fr4 | 5.5A |
| Output current single phase bridge fr4 | 3.5A |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Thermal resistance junction to case dc | 1.1 °C/W |
| Critical rate of rise of off state voltage | 500V/μs |
| Critical rate of rise of turned on current | 150A/μs |
| Output current three phase bridge ims 15cw | 13.5A |
| Output current single phase bridge ims 15cw | 8.5A |
| Thermal resistance junction to ambient typical | 40 °C/W (PCB mount, 1" square, 4oz copper) |
| Output current three phase bridge ims heatsink 5cw | 25.0A |
| Output current single phase bridge ims heatsink 5cw | 16.5A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?