Документация
Тиристор 800В 10А 15мА VS-10TTS08S-M3
У поставщика
ПроизводительVishay
У поставщиков
74 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:74 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 170,44 |
| от 5 | 167,61 |
| от 10 | 163,82 |
| от 19 | 158,14 |
| от 37 | 149,37 |
Описание
Тиристор VS-10TTS08S-M3 от Vishay — это надёжный силовой ключ для цепей переменного тока. Компонент рассчитан на напряжение до 800 В и прямой ток 10 А, выпускается в компактном корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для схем управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой технике.
Технические характеристики
| Тип | Thyristor SCR |
| Di dt | 100A/μs |
| Dv dt | 150V/μs |
| Вес | 2g |
| Маркировка | 10TTS08S |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Уровень MSL | 1 |
| Switching | Время включения: 0.8μs; Время выключения: 100μs; Время обратного восстановления: 3μs |
| Triggering | I gd: 0.1mA; I gt: Max temp: 10mA; Min temp: 20mA; Room temp: 15mA; V gd: 0.2V; V gt: Max temp: 0.7V; Min temp: 1.2V; Room temp: 1V; Max peak gate power: 8W; Max average gate power: 2W; Max peak negative gate voltage: 10V; Max peak positive gate current: 1.5A |
| Артикул | VS-10TTS08S-M3 |
| Применение | Aluminum ims: 6.3A; Three phase bridge: 3.5A; Single phase bridge: 2.5A; Aluminum ims with heatsink: 14A |
| Падение напряжения | V tm: 1.15V; Condition: 6.5A, Tj=25°C |
| Квалификация | JEDEC-JESD47 |
| Current ratings | I tsm: 110A; I t av: 6.5A; I t rms: 10A; I2t fusing: 64A2s; I2sqrt t fusing: 640A2√s; I tsm with vrrm: 95A; I2t fusing no voltage: 64A2s |
| Ток удержания | I h: 30mA; Condition: Tj=25°C |
| Ток утечки | I rm dm: 1.0mA; Condition: Tj=125°C, rated V |
| Voltage ratings | V drm: 800V; VRRM: 800V; Max peak direct voltage: 800V; Max peak reverse voltage: 800V |
| Latching current | I l: 50mA; Condition: Tj=25°C |
| Threshold voltage | V t to: 0.85V; Condition: Tj=125°C |
| On state resistance | R t: 17.3mΩ; Condition: Tj=125°C |
| Схема включения | Single SCR |
| Тепл. хар-ки | Макс. темп. перехода: 125°C; Диап. темп. хр.: -40°C to +125°C; Тепл. сопр. переход-корпус: 1.5°C/W; Thermal resistance junction to ambient pcb: 40°C/W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Max peak reflow temperature | 245°C |
| Описание (англ.) | Thyristor SCR 800V 10A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?