+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
VS-10MQ100NTRPBF
Документация

Диод SMD VS-10MQ100NTRPBF

Артикул:92923
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияДиоды SMD
Ед. изм.шт
У поставщиков
37 407 шт.
Норм. уп.: 70
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 337 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 7500
Минимальная партия: 88 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 17,94
от 6797,02
от 1 3576,39
от 2 7145,85
от 5 4285,53
Склад 15
В наличии:8 170 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 70
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 708,93
Склад 12
В наличии:2 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 5600 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 17,25
от 1005,27
от 1 0004,76
Описание

Диод SMD VS-10MQ100NTRPBF от Vishay выполнен в корпусе DO-214AC (SMA). Рабочий диапазон температур составляет от -55 до +150 °С. Компонент поставляется на катушке и подходит для поверхностного монтажа в промышленной автоматике и блоках питания.

Технические характеристики
Вес0.07 g
В упаковкеREEL, 7500 шт
Маркировка1J
МонтажSMD
КорпусDO-214AC (SMA)
Тип монтажаSMD
КорпусDO-214AC (SMA)
Уровень MSL1
Рабочая температура-55…+150 °С
Тип диодаSchottky rectifier
АртикулVS-10MQ100NTRPBF
Покрытие выводовlead-free (PbF)
Макс. ширина корпуса2.79 mm
Высота корпуса макс.2.29 mm
Макс. длина корпуса4.50 mm
Avalanche energy1.0 mJ
Series inductance2.0 nH
Threshold voltage0.52 V
Mounting pad width1.68 mm
Макс. прямой ток1 A
Mounting pad length2.79 mm
Макс. обратное напряжение100 V
Voltage rate of change10000 V/μs
Peak reflow temperature260 °C
Forward slope resistance78.4 mΩ
Forward voltage at 1A 25C0.78 V
Диап. темп. хр.-55 to +150 °C
Forward voltage at 1A 125C0.63 V
Диапазон темп. перехода-55 to +150 °C
Forward voltage at 1.5A 25C0.85 V
Junction capacitance at 10V38 pF
Reverse leakage current 25C0.1 mA
Forward voltage at 1.5A 125C0.68 V
Repetitive avalanche current0.5 A
Reverse leakage current 125C1 mA
Non repetitive surge current 5us120 A
Non repetitive surge current 10ms30 A
Термосопротивление переход-среда80 °C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?