Документация
Диод VS-10MQ040NTRPBF
У поставщика
У поставщиков
34 404 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:21 400 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 200
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 200 | 8,13 |
Склад 13
В наличии:12 084 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 7500
Минимальная партия: 64 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,11 |
| от 505 | 9,96 |
| от 1 010 | 9,18 |
| от 2 020 | 8,51 |
| от 4 039 | 8,07 |
Склад 12
В наличии:920 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 13,46 |
| от 100 | 12,91 |
Описание
Диод Шоттки VS-10MQ040NTRPBF от Vishay предназначен для поверхностного монтажа в корпусе DO-214AC (SMA). Выдерживает обратное напряжение до 40 В и прямой ток до 1 А. Применяется в импульсных источниках питания и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | Диоды Шоттки |
| Тип | Schottky Rectifier |
| Вес | 0.07g |
| В упаковке | 58*46*53/30000 |
| Маркировка | 1F |
| Монтаж | Поверхностный |
| Корпус | SMA (DO-214AC) |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | DO-214AC (SMA) |
| Без свинца | Да |
| Уровень MSL | 1 |
| Применение | disk drives, switching power supplies, converters, freewheeling diodes, battery charging, reverse battery protection |
| Артикул | VS-10MQ040NTRPBF |
| Dv dt rating | 10000 V/μs |
| Avalanche energy | 3.0mJ |
| Series inductance | 2.0nH |
| Threshold voltage | 0.36V |
| Размеры упаковки | 4.50 x 2.79 x 1.88 mm (max body); overall length 5.28 mm |
| Peak surge current | 120A (5μs sine); 30A (10ms sine) |
| Соответствие материала | Lead (Pb)-free, MSL level 1, peak reflow 260°C |
| Max reverse voltage | 40V |
| Падение напряжения | 0.54V at 1A, 25°C; 0.62V at 1.5A, 25°C; 0.49V at 1A, 125°C; 0.56V at 1.5A, 125°C |
| Емкость перехода | 38pF at 10V, 1MHz |
| Max lead temperature | 132°C at 1A, 50% duty cycle |
| Max dc reverse voltage | 40V |
| Package body width max | 2.79mm |
| Средний прямой ток | 1A |
| Package body height max | 1.88mm |
| Package body length max | 4.50mm |
| Обратный ток утечки | 0.5mA at 25°C; 26mA at 125°C |
| Forward slope resistance | 104mΩ |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Max voltage rate of change | 10000V/μs |
| Усл. изм. емк. | 10V, 1MHz |
| Max average forward current | 1A |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C (junction) |
| Repetitive avalanche current | 1.0A |
| Max forward power dissipation | 1.4W (DC) at 1A (fig.5) |
| Forward voltage drop at 1A 25C | 0.54V |
| Обр. ток утечки при 25°C | 0.5mA |
| Forward voltage drop at 1A 125C | 0.49V |
| Non repetitive avalanche energy | 3.0mJ |
| Reverse leakage current at 125C | 26mA |
| Forward voltage drop at 1.5A 25C | 0.62V |
| Max working peak reverse voltage | 40V |
| Forward voltage drop at 1.5A 125C | 0.56V |
| Non repetitive peak surge current 5us | 120A |
| Non repetitive peak surge current 10ms | 30A |
| Термосопротивление переход-среда | 80°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?