Документация
VLS252012HBX-1R0M-1, SMD индуктивность 1uH 20% 3.53A 2.5x2x1.2мм
У поставщика
ПроизводительTDK EPCOS
У поставщиков
6 500 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:6 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,25 |
| от 500 | 5,38 |
| от 5 000 | 3,93 |
Описание
SMD индуктивность TDK EPCOS серии VLS252012HBX-1R0M-1 на 1 мкГн с допуском ±20%. Компонент рассчитан на номинальный ток до 3.53 А, имеет низкое сопротивление 0.047 Ом и выполнен в компактном корпусе 2.5x2.0x1.2 мм с магнитным экраном. Применяется в цепях питания портативной электроники, такой как смартфоны и планшеты.
Технические характеристики
| Серия | VLS252012HBX-1 |
| Вес | 30 mg |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 2.5 x 2.0 x 1.2 mm |
| Индуктивность | 1.0 µH |
| Применение | Power circuits for smartphones, tablets, etc. |
| Артикул | VLS252012HBX-1R0M-1 |
| Конструкция | Wound metal, magnetic shield |
| Тип упаковки | SMD |
| Материал сердечника | Metallic magnetic material |
| Ном. ток | 3.00 A (max), 3.53 A (typ) |
| Кол-во в упаковке | 2000 pcs/reel |
| Сопротивление DC макс. | 0.056 Ω |
| Тип. сопротивление DC | 0.047 Ω |
| Допуск индуктивности | ±20% |
| Rated current isat max | 3.40 A |
| Rated current isat typ | 4.00 A |
| Rated current itemp max | 3.00 A |
| Rated current itemp typ | 3.53 A |
| Inductance meas frequency | 1 MHz |
| Диап. темп. хр. | -40 to 105 °C |
| Диап. раб. темп. | -40 to 105 °C |
| Единица измерения | мкГн |
| Габаритные размеры, мм | 2.5x2x1.2 |
| Номинальная индуктивность | 1 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 3530 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?