+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
VBZMB20N65S
Документация

VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6

Артикул:1207211
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
870 шт.
Норм. уп.: 75
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:870 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 75
Минимальная партия: 750 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1258,75
от 75255,53
Описание

VBZMB20N65S — N-канальный Super Junction MOSFET от VBSEMI. Компонент рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и импульсный ток до 53 А, рассеиваемая мощность достигает 208 Вт. Выполнен в изолированном корпусе TO-220 FULLPAK для монтажа в отверстия. Подходит для импульсных блоков питания, корректоров коэффициента мощности и промышленной силовой электроники.

Технические характеристики
ТипN-Channel Super Junction MOSFET
КорпусTO-220 FULLPAK
Тип монтажаTHT
КонфигурацияSingle
Тип. время спада42ns
Тип. время нарастания34ns
СтруктураN-канал
Импульсный ток стока53A
Макс. рассеиваемая мощность208W
Заряд затвора макс.106nC
Напряжение затвор-исток макс.±30V
Макс. напряжение сток-исток650V
Gate drain charge typical33nC
Типовая входная емкость2322pF
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Total gate charge typical71nC
Gate source charge typical14nC
Тип. выходная емкость105pF
Turn on delay time typical22ns
Turn off delay time typical68ns
Длительный ток стока 25°C20A
Avalanche energy single pulse367mJ
Непрерывный ток стока 100°C13A
Diode forward voltage typical0.9V
Reverse recovery time typical160ns
Макс. Rси вкл.0.19Ω
Reverse recovery charge typical1.2μC
Reverse recovery current typical14A
Макс. темп. перехода150°C
Мин. темп. перехода-55°C
Reverse transfer capacitance typical4pF
Макс. тепловое сопротивление переход-корпус0.5°C/W
Макс. тепловое сопр. переход-среда62°C/W
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650

Заметили ошибку в описании или параметрах?