Документация
VBZE50P06, транзистор P канал 60В 50А 100Вт 1.5В/250мкА TO252-2 = 50P06
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
1 900 шт.
Норм. уп.: 150
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 150
Минимальная партия: 1500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 55,89 |
| от 150 | 47,71 |
| от 1 500 | 47,58 |
Описание
Транзистор P-Channel MOSFET VBZE50P06 от VBSEMI. Компонент рассчитан на напряжение 60 В, ток до 50 А и мощность 100 Вт, выполнен в корпусе TO-252 для поверхностного монтажа. Отличается быстрым переключением с временем нарастания 70 нс и спада 175 нс. Подходит для цепей управления питанием в промышленной автоматике и силовых модулях.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-252 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 175ns |
| Время нарастания | 70ns |
| Размеры | A max: 2.38mm; A min: 2.18mm; B max: 0.88mm; B min: 0.64mm; C max: 0.61mm; C min: 0.46mm; D max: 6.22mm; D min: 5.97mm; E max: 6.73mm; E min: 6.35mm; H max: 10.41mm; H min: 9.40mm; L max: 1.78mm; L min: 1.40mm; A1 max: 0.127mm; B2 max: 1.14mm; B2 min: 0.76mm; B3 max: 5.46mm; B3 min: 4.95mm; C2 max: 0.89mm; C2 min: 0.46mm; D1 min: 5.21mm; E1 min: 4.32mm; L3 max: 1.27mm; L3 min: 0.89mm; L4 max: 1.02mm; L5 max: 1.52mm; L5 min: 1.14mm; E pitch: 2.28mm; E1 pitch: 4.56mm |
| Replacement | 50P06 |
| Case outline | TO-252AA |
| Корпус | TO-252 |
| Лавинный ток | -50A |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 15nC |
| Вх. емкость | 3800pF |
| Полный заряд затвора | 20nC |
| Заряд затвор-исток | 19nC |
| Выходная емкость | 380pF |
| Время задержки включения | 15ns |
| Структура | P-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 175ns |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Импульсный ток стока | -160A |
| Мощн. рас. 25°C | 113W |
| Power dissipation 75c | 100W |
| Время обратного восстановления | 45ns |
| On state drain current | -50A |
| Прямая крутизна | 61S |
| Макс. время обрат. восстановления | 70ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.5V |
| Длительный ток стока 25°C | -50A |
| Обратная проходная емкость | 305pF |
| Continuous drain current 125c | -40A |
| Энергия одиноч. импульса | 125mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -60V |
| Pulsed source drain diode current | -80A |
| Source drain diode forward voltage | -1V to -1.6V |
| Junction to case thermal resistance | 0.82°C/W typical, 1.1°C/W max |
| Zero gate voltage drain current 25c | -1µA |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Zero gate voltage drain current 125c | -50µA |
| Zero gate voltage drain current 150c | -100µA |
| Continuous source drain diode current | -40A |
| Drain source on resistance vgs10 id17 | 0.020Ω |
| Drain source on resistance vgs4p5 id14 | 0.025Ω |
| Drain source on resistance vgs10 id40 125c | 0.030Ω |
| Drain source on resistance vgs10 id40 150c | 0.035Ω |
| Junction to ambient thermal resistance 10s | 15°C/W typical, 18°C/W max |
| Junction to ambient thermal resistance steady | 40°C/W typical, 50°C/W max |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?