Документация
VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
120 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:120 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 310,50 |
| от 10 | 304,46 |
Описание
VBL165R18 — N-канальный MOSFET от VBSEMI на напряжение 650 В и ток до 53 А в импульсе. Компонент выполнен в корпусе D2PAK (TO-263) для поверхностного монтажа и рассеивает до 208 Вт. Подходит для импульсных блоков питания и силовых преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Vds | 650V |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Технология | N-Channel MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Макс. время спада | 84 ns |
| Тип. время спада | 42 ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. время нарастания | 68 ns |
| Тип. время нарастания | 34 ns |
| Кол-во выводов | 3 |
| Avalanche energy | 367 mJ |
| Заряд сток-затвор | 33 nC |
| Вх. емкость | 2322 pF |
| Рассеиваемая мощность | 208W |
| Заряд затвор-исток | 14 nC |
| Выходная емкость | 105 pF |
| Структура | N-канал |
| Reverse diode dv dt | 31 V/ns |
| Импульсный ток стока | 53A |
| Gate input resistance | 0.78Ω |
| Время обратного восстановления | 160 ns |
| Заряд затвора макс. | 106 nC |
| Тип. заряд затвора | 71 nC |
| Коэффициент снижения мощности | 1.7 W/°C |
| Время вкл. макс. | 44 ns |
| Время задержки вкл. тип. | 22 ns |
| Заряд обратного восстановления | 1.2 µC |
| Макс. время выключения | 102 ns |
| Время задержки выкл. тип. | 68 ns |
| Прямая крутизна | 7 S |
| Reverse recovery current | 14A |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.9V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Drain source on resistance | 0.36Ω |
| Drain source voltage slope | 37 V/ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Пиковая температура пайки | 300°C |
| Vds temperature coefficient | 0.67 V/°C |
| Длительный ток стока 25°C | 18A |
| Pulsed diode forward current | 53A |
| Обратная проходная емкость | 4 pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 16A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 650V |
| Effective output capacitance time | 293 pF |
| Effective output capacitance energy | 84 pF |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1 µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Zero gate voltage drain current 125c | 500 µA |
| Continuous source drain diode current | 21A |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 0.5 °C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?