Документация
VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
15 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:15 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,10 |
| от 100 | 55,06 |
| от 1 000 | 52,46 |
Описание
VBL165R04 — N-канальный MOSFET на 650 В от VBSEMI, аналог IRF720SPBF. Компонент выполнен в корпусе D2PAK (TO-263) для поверхностного монтажа, рассчитан на рассеиваемую мощность до 60 Вт и отличается быстрым переключением (типовое время нарастания 20 нс). Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | SMD |
| Analog of | IRF720SPBF |
| Конфигурация | Single |
| Тип. время спада | 18ns |
| Тип. время нарастания | 20ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Структура | N-канал |
| Gate drain charge max | 19nC |
| Тип. входная емкость | 1417pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 60W |
| Заряд затвора макс. | 48nC |
| Gate source charge max | 12nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.48 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 177pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Время задержки выкл. тип. | 34ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 650V |
| Прямая крутизна | 3.9S |
| Pulsed drain current max | 18A |
| Body diode pulsed current | 21A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Drain source on resistance | 2.1Ω |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Длительный ток стока 25°C | 4.5A |
| Effective output capacitance | 84pF |
| Output capacitance at vds 1v | 1912pF |
| Body diode continuous current | 4A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 4.2A |
| Peak diode recovery dv dt max | 2.8 V/ns |
| Body diode forward voltage max | 1.5V |
| Output capacitance at vds 520v | 48pF |
| Repetitive avalanche energy max | 6mJ |
| Repetitive avalanche current max | 4A |
| Обр. проходная емкость тип. | 7.0pF |
| Single pulse avalanche energy max | 325mJ |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Body diode reverse recovery time max | 739ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 493ns |
| Body diode reverse recovery charge max | 3.2µC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 2.1µC |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 2.1°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 65°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?