Документация
VBA4338, транзистор P канал -30V -6.3A (SO-8) аналог для IRF7306TRPBF
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
840 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:840 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 2000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,26 |
| от 200 | 24,01 |
| от 2 000 | 21,56 |
Технические характеристики
| Тип | Dual P-Channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 (SOIC-8 narrow) |
| Особенности | Halogen-free, Trench Power MOSFET, 100% UIS Tested, RoHS Compliant |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | VBA4338 |
| Применение | Load Switches |
| Корпус | SO-8 |
| Размеры мм | A: 1.35-1.75; B: 0.35-0.51; C: 0.19-0.25; D: 4.80-5.00; E: 3.80-4.00; H: 5.80-6.20; L: 0.50-0.93; S: 0.44-0.64; E: 1.27 BSC; H: 0.25-0.50; Q: 0°-8°; A1: 0.10-0.20 |
| Gate resistance | 5.8Ω |
| Лавинный ток | -20A |
| Fall time vgs 10v | 12ns (typ), 25ns (max) |
| Заряд сток-затвор | 7.5nC |
| Вх. емкость | 1350pF |
| Rise time vgs 10v | 8ns (typ), 15ns (max) |
| Body diode voltage | -0.75V (typ), -1.2V (max) |
| Fall time vgs 4 5v | 16ns (typ), 30ns (max) |
| Заряд затвор-исток | 4nC |
| Выходная емкость | 215pF |
| Rise time vgs 4 5v | 35ns (typ), 60ns (max) |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -32A |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Прямая крутизна | 23S |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Total gate charge vgs 10v | 32nC (typ), 50nC (max) |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.0V |
| Reverse recovery fall time | 11ns |
| Reverse recovery rise time | 23ns |
| Total gate charge vgs 4 5v | 15nC (typ), 25nC (max) |
| Turn on delay time vgs 10v | 10ns (typ), 15ns (max) |
| Turn off delay time vgs 10v | 45ns (typ), 70ns (max) |
| Turn on delay time vgs 4 5v | 42ns (typ), 70ns (max) |
| Обратная проходная емкость | 185pF |
| Turn off delay time vgs 4 5v | 40ns (typ), 70ns (max) |
| Энергия одиноч. импульса | 20mJ |
| Continuous drain current ta 25c | -7.3A |
| Continuous drain current ta 70c | -5.9A |
| Continuous drain current tc 25c | -7.3A |
| Continuous drain current tc 70c | -7.0A |
| Body diode reverse recovery time | 34ns (typ), 60ns (max) |
| Maximum power dissipation ta 25c | 2.5W |
| Maximum power dissipation ta 70c | 1.6W |
| Maximum power dissipation tc 25c | 5.0W |
| Maximum power dissipation tc 70c | 3.2W |
| Body diode reverse recovery charge | 22nC (typ), 40nC (max) |
| Drain source on resistance vgs 10v | 0.035Ω |
| Drain source on resistance vgs 4 5v | 0.045Ω |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Continuous source drain diode current | -4.1A |
| Thermal resistance junction to ambient t 10s | 38°C/W (typ), 50°C/W (max) |
| Thermal resistance junction to foot steady state | 20°C/W (typ), 25°C/W (max) |
| Thermal resistance junction to ambient steady state | 85°C/W (max) |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.3 |