Документация
VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
1 700 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 68,31 |
| от 100 | 67,97 |
Описание
VBA3638 от VBSEMI — это сдвоенный N-канальный MOSFET на 60 В. Компонент выполнен в компактном корпусе SO-8 для поверхностного монтажа, выдерживает импульсный ток до 28 А и рассеивает до 4 Вт. Подходит для схем управления питанием и DC/DC-преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Описание | Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| Артикул | VBA3638 |
| Тип упаковки | SO-8 (SOIC Narrow 8-lead) |
| Конфигурация | Dual N-Channel |
| Макс. время спада | 3.2 ns |
| Тип. время спада | 2.1 ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Package pitch | 1.27 mm |
| Макс. время нарастания | 3.5 ns |
| Тип. время нарастания | 2.3 ns |
| Структура | N-канал |
| Gate resistance max | 6 Ω |
| Gate resistance min | 1.3 Ω |
| Current drain pulsed | 28 A |
| Capacitance input max | 750 pF |
| Capacitance input typ | 600 pF |
| Gate drain charge max | 4.2 nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.8 nC |
| Мощн. рас. 25°C | 4 W |
| Заряд затвора макс. | 18 nC |
| Тип. заряд затвора | 11.7 nC |
| Capacitance output max | 140 pF |
| Capacitance output typ | 110 pF |
| Gate source charge max | 2.7 nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.8 nC |
| Power dissipation 125c | 1.3 W |
| Время вкл. макс. | 11 ns |
| Время задержки вкл. тип. | 7 ns |
| Gate source leakage max | ±100 nA |
| Макс. время выключения | 33 ns |
| Время задержки выкл. тип. | 23 ns |
| Voltage gate source max | ±20 V |
| Voltage drain source max | 60 V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175 °C |
| On state drain current min | 20 A |
| Current drain continuous 25c | 7 A |
| Forward transconductance typ | 15 S |
| Current drain continuous 125c | 4 A |
| Energy single pulse avalanche | 16.2 mJ |
| Package dimensions body width | 3.80-4.00 mm |
| Current single pulse avalanche | 18 A |
| Package dimensions body height | 1.35-1.75 mm |
| Package dimensions body length | 4.80-5.00 mm |
| Current source continuous diode | 3.6 A |
| Capacitance reverse transfer max | 62 pF |
| Capacitance reverse transfer typ | 50 pF |
| Current drain continuous per leg | 7 A |
| Resistance drain source on vgs10v | 0.028 Ω |
| Threshold voltage gate source max | 2.5 V |
| Threshold voltage gate source min | 1.5 V |
| Threshold voltage gate source typ | 2.0 V |
| Resistance drain source on vgs4.5v | 0.030 Ω |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1 µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175 °C |
| Zero gate voltage drain current 125c | 50 µA |
| Zero gate voltage drain current 175c | 150 µA |
| Source drain diode pulsed current max | 28 A |
| Resistance drain source on vgs10v 125c | 0.066 Ω |
| Resistance drain source on vgs10v 175c | 0.081 Ω |
| Source drain diode forward voltage max | 1.1 V |
| Source drain diode forward voltage typ | 0.75 V |
| Thermal resistance junction to foot drain | 34 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 110 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?