Документация
VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
20 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:20 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,84 |
| от 100 | 23,60 |
| от 1 000 | 20,39 |
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 (narrow) |
| Особенности | TrenchFET Power MOSFET, Built in ESD Protection with Zener Diode, 100% Rg Tested, Halogen-free, RoHS compliant |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | VBA2216 |
| Кол-во выводов | 8 |
| Применение | Portable Devices, Load Switch, Battery Switch, Charger Switch |
| Esd rating typ | 1800V |
| Размеры упаковки | 4.80-5.00mm x 3.80-4.00mm x 1.35-1.75mm |
| Gate resistance max | 2kΩ |
| Gate resistance min | 0.2kΩ |
| Gate resistance typ | 1kΩ |
| Импульсный ток стока | -50A |
| Alternate part number | NTMS10P02R2G |
| Gate charge total max | 30nC |
| Gate charge total typ | 20nC |
| On resistance vgs 1v8 | 0.040Ω |
| On resistance vgs 2v5 | 0.021Ω |
| On resistance vgs 4v5 | 0.015Ω |
| Время обратного восстановления | 30ns to 60ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Заряд обратного восстановления | 20nC to 40nC |
| Макс. напряжение сток-исток | -20V |
| Power dissipation ta 25c | 3.5W |
| Power dissipation tc 25c | 19W |
| Switching times vgen 10v | Тип. время спада: 3.5µs; Тип. время нарастания: 0.6µs; Turn on delay typ: 0.3µs; Turn off delay typ: 10µs |
| Switching times vgen 4v5 | Тип. время спада: 3.2µs; Тип. время нарастания: 1.7µs; Turn on delay typ: 0.71µs; Turn off delay typ: 6µs |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Body diode forward voltage | -0.85V to -1.2V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.5V |
| Continuous drain current ta 25c | -8A |
| Continuous drain current tc 25c | -13A |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 6.5°C/W |
| Thermal resistance junction to case typ | 5.3°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 36°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 28°C/W |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -6A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |