Документация
VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
20 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:20 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,81 |
| от 100 | 20,02 |
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Pd макс. | 2.5W |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 190pF |
| Coss тип. | 22pF |
| Тип. Crss | 13pF |
| Id pulse | 7A |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | A max: 1.12mm; A min: 0.89mm; A1 max: 0.1mm; A1 min: 0.01mm |
| Vgs порог макс. | 2.8V |
| Vgs порог мин. | 1.2V |
| Артикул | VB1102M |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Id непрерывный | 2A |
| Pd max ta 25c | 1.5W |
| Qg max vgs10v | 10.4nC |
| Qg typ vgs10v | 5.2nC |
| Vds breakdown | 100V |
| Qg max vgs4 5v | 5.8nC |
| Qg typ vgs4 5v | 2.9nC |
| Vds temp coeff | 105 mV/°C |
| Avalanche energy | 1.25mJ |
| Gate leakage max | ±100nA |
| Rds on typ vgs6v | 0.250Ω |
| Лавинный ток | 5A |
| Rds on typ vgs10v | 0.240Ω |
| Vgs th temp coeff | -5.2 mV/°C |
| Fall time max v10v | 12ns |
| Fall time typ v10v | 6ns |
| Rds on typ vgs4 5v | 0.260Ω |
| Rise time max v10v | 20ns |
| Rise time typ v10v | 10ns |
| Fall time max v4 5v | 20ns |
| Fall time typ v4 5v | 12ns |
| Gate resistance max | 2.8Ω |
| Gate resistance typ | 0.3Ω |
| Rise time max v4 5v | 39ns |
| Rise time typ v4 5v | 26ns |
| Темп. хранения | -55°C to 150°C |
| Id continuous ta 25c | 1.6A |
| Material categorization | available |
| Body diode pulse current | 20A |
| Макс. время обрат. восстановления | 33ns |
| Тип. время восст. | 22ns |
| On state drain current min | 5A |
| Reverse recovery charge max | 32nC |
| Тип. заряд восст. | 21nC |
| Turn on delay time max v10v | 12ns |
| Turn on delay time typ v10v | 6ns |
| Forward transconductance typ | 2.0S |
| Turn off delay time max v10v | 20ns |
| Turn off delay time typ v10v | 10ns |
| Turn on delay time max v4 5v | 45ns |
| Turn on delay time typ v4 5v | 30ns |
| Body diode continuous current | 2.1A |
| Turn off delay time max v4 5v | 26ns |
| Turn off delay time typ v4 5v | 17ns |
| Body diode forward voltage max | 1.2V |
| Body diode forward voltage typ | 0.8V |
| Рабочая температура перехода | -55°C to 150°C |
| Reverse recovery fall time typ | 16ns |
| Reverse recovery rise time typ | 6ns |
| Zero gate voltage drain current max | 1µA |
| Thermal resistance junction to foot max | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to foot typ | 40°C/W |
| Zero gate voltage drain current max 55c | 10µA |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 166°C/W |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |