Документация
UT62256CPCL-70LL, микросхема памяти PDIP28
У поставщика
ПроизводительUtron Tech.
У поставщиков
96 шт.
Норм. уп.: 4
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:96 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4
Минимальная партия: 140 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 310,50 |
| от 4 | 220,46 |
| от 40 | 205,17 |
Описание
Микросхема статической памяти SRAM от Utron Tech. Выполнена в корпусе PDIP28 для монтажа в отверстия, работает при напряжении 5 В с низким энергопотреблением в режиме ожидания. Организация памяти — 32K x 8 бит, время доступа — 70 нс. Подходит для промышленной автоматики и встраиваемых систем.
Технические характеристики
| Тип | SRAM |
| Корпус | PDIP28 |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | CMOS low power |
| Access time | 70ns |
| Артикул | UT62256CPCL-70LL |
| Truth table | Read: CE=L, OE=L, WE=H, I/O=Data Out; Write: CE=L, WE=L, I/O=Data In; Standby: CE=H, I/O=High-Z, supply current ISB; Output disable: CE=L, OE=H, WE=H, I/O=High-Z |
| Организация | 32K x 8 |
| Ширина корпуса | 600 mil |
| Напряжение питания | 5V ±10% |
| Рассеиваемая мощность | 1W |
| Data hold time min | 0ns |
| Input pulse levels | 0V to 3.0V |
| Data setup time min | 30ns |
| Read cycle time min | 70ns |
| Макс. ток дежурного режима | 50µA |
| Тип памяти | SRAM |
| Input rise fall time | 5ns |
| Write cycle time min | 70ns |
| Dc output current max | 50mA |
| Вх. ток утечки | ±1µA |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.8V |
| Input low voltage min | -0.5V |
| Раб. ток макс. | 40mA |
| Write pulse width min | 50ns |
| Address setup time min | 0ns |
| Input high voltage max | Vcc+0.5V |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.2V |
| Io capacitance typical | 10pF |
| Ток утечки вых. | ±1µA |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Timing reference level | 1.5V |
| Address access time max | 70ns |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V |
| Output load capacitance | 100pF |
| Типовой ток в режиме ожидания | 1µA |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Write recovery time min | 0ns |
| Output condition current | Ioh=-1mA, Iol=4mA |
| Типовая входная емкость | 8pF |
| Operating current typical | 30mA |
| Макс. раб. темп. | 70°C |
| Мин. раб. темп. | 0°C |
| Chip disable to high z max | 35ns |
| Data retention voltage min | 2V |
| Output enable to low z min | 5ns |
| Write to output high z max | 25ns |
| Chip enable access time max | 70ns |
| Output disable to high z max | 25ns |
| Output low voltage condition | Iol=4mA |
| Output enable access time max | 35ns |
| Output high voltage condition | Ioh=-1mA |
| Chip enable to end of write min | 60ns |
| Address valid to end of write min | 60ns |
| Output active from end of write min | 5ns |
| Output hold from address change min | 5ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?