Документация
Микросхема памяти, SRAM 32kx8 UT62256CPCL-70LL
У поставщика
ПроизводительUTRON
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
243 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:243 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 325,15 |
| от 8 | 306,26 |
| от 20 | 290,85 |
| от 30 | 279,40 |
| от 60 | 270,88 |
Описание
Микросхема статической памяти SRAM от UTRON. Объём 32K x 8 бит, работает при напряжении 5 В со временем доступа 70 нс. Выполнена в корпусе DIP28. Подходит для применения в промышленной автоматике, контроллерах и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Корпус | 28-pin 330 mil SOP |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 8mm x 13.4mm (STSOP) |
| Access time | 70ns max |
| Описание | 32K x 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM |
| Объем памяти | 262144-bit |
| Тип памяти | SRAM |
| Артикул | UT62256CPCL-70LL |
| Производитель | UTRON |
| Организация | 32768 words x 8 bits |
| Io capacitance | 10pF max |
| Напряжение питания | 5V ±10% |
| Read cycle time | 70ns min |
| Write cycle time | 70ns min |
| Dc output current | 50mA |
| Вх. емкость | 8pF max |
| Input low voltage | -0.5V min, 0.8V max |
| Рабочий ток | 30mA typical, 40mA max |
| Рассеиваемая мощность | 1W |
| Write pulse width | 50ns min |
| Address setup time | 0ns min |
| Input high voltage | 2.2V min, VCC+0.5V max |
| Низкое выходное напряжение | 0.4V max at IOL=4mA |
| Standby current ll | 1µA typical, 50µA max |
| Ac test output load | CL=100pF, IOH/IOL=-1mA/4mA |
| Высокое вых. напр. | 2.4V min at IOH=-1mA |
| Темп. хранения | -65°C to +150°C |
| Write recovery time | 0ns min |
| Примечание | 32K x 8 |
| Вх. ток утечки | ±1µA |
| Раб. температура | 0°C to +70°C |
| Температура пайки | 260°C (under 10 sec) |
| Data retention voltage | 2V min |
| Ток утечки вых. | ±1µA |
| Standby current normal | 0.3mA typical, 5mA max |
| Standby current sb1 ll | 20µA max (special requirement) |
| Write to output high z | 25ns max |
| Ac test reference level | 1.5V |
| Chip enable access time | 70ns max |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Output enable access time | 35ns max |
| Ac test input pulse levels | 0V to 3.0V |
| Data to write time overlap | 30ns min |
| Chip enable to end of write | 60ns min |
| Chip enable to output low z | 10ns min |
| Data hold from end of write | 0ns min |
| Описание (англ.) | SRAM 32kx8, 5V 70ns |
| Ac test input rise fall times | 5ns |
| Address valid to end of write | 60ns min |
| Chip disable to output high z | 35ns max |
| Output enable to output low z | 5ns min |
| Output active from end of write | 5ns min |
| Output disable to output high z | 35ns max |
| Output hold from address change | 5ns min |
Заметили ошибку в описании или параметрах?