Транзистор UMD9N
У поставщика
У поставщиков
61 695 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:61 695 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,18 |
| от 1 150 | 2,59 |
| от 1 875 | 2,27 |
| от 3 175 | 2,01 |
| от 5 275 | 1,83 |
Описание
Транзистор UMD9N производства YJ представляет собой биполярный транзистор (BJT), предназначенный для коммутации и усиления сигналов в электронных схемах. Компонент отличается компактным исполнением и подходит для поверхностного монтажа. Применяется в цепях управления нагрузкой, а также в усилительных каскадах различной аппаратуры.
Технические характеристики
| Power - Max | 150mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Описание | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6 |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?