Документация
UMD22N, Биполярный транзистор NPN+PNP 50В 100мА 150мВт SOT-363
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
10 873 шт.
Норм. уп.: 1667
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:10 863 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,19 |
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1667
Минимальная партия: 16670 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,30 |
| от 1 667 | 2,30 |
Описание
Биполярный транзистор YJ UMD22N — это сдвоенный цифровой транзистор NPN+PNP со встроенными bias-резисторами. Работает при напряжении до 50 В, токе до 100 мА и мощности 150 мВт, выпускается в компактном SMD-корпусе SOT-363. Подходит для автоматического монтажа и применяется в инверторных цепях, промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| RoHS | Да |
| Маркировка | D22 |
| Корпус | Тип: SOT-363; Тип монтажа: SMD; Размеры: Шаг: 0.65mm; Ширина: 1.25mm; Высота: 1.1mm; Длина: 2.0mm |
| Особенности | Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating, Built-in bias resistors enable inverter circuit without external input resistors, Surface mount package ideally suited for automatic insertion |
| Компонент | UMD22N |
| Описание | Dual digital transistor NPN+PNP with built-in bias resistors |
| Корпус | SOT-363-6 |
| Структура | NPN+PNP |
| Предельные значения | Npn: Input voltage vin: -5V to +30V; Output current io: 100mA; Supply voltage vcc: 50V; Power dissipation pd: 150mW; Темп. перехода Tj: 150°C; Storage temperature tstg: -55°C to +150°C; Pnp: Input voltage vin: -30V to +5V; Output current io: -100mA; Supply voltage vcc: -50V; Power dissipation pd: 150mW; Темп. перехода Tj: 150°C; Storage temperature tstg: -55°C to +150°C |
| Электрические характеристики | Npn: Input current ii: Max: 1.8mA; Conditions: Vi=5V; Dc current gain gi: Min: 80; Conditions: Vo=5V, Io=10mA; Input resistance r1: Max: 6.11kΩ; Min: 3.29kΩ; Typ: 4.7kΩ; Output current ioff: Max: 0.5uA; Conditions: Vcc=50V, Vi=0; Input voltage on vion: Max: 1.3V; Conditions: Vo=0.3V, Ic=5mA; Output voltage on voon: Max: 0.3V; Conditions: Io/Ii=5mA/0.25mA; Resistance ratio r2 r1: Max: 12; Min: 8; Typ: 10; Input voltage off vioff: Min: 0.5V; Conditions: Vcc=5V, Ic=100uA; Граничная частота ft: Typ: 250MHz; Conditions: Vce=10V, Ie=5mA, f=100MHz; Pnp: Input current ii: Max: -1.8mA; Conditions: Vi=-5V; Dc current gain gi: Min: 80; Conditions: Vo=-5V, Io=-10mA; Input resistance r1: Max: 6.11kΩ; Min: 3.29kΩ; Typ: 4.7kΩ; Output current ioff: Max: -0.5uA; Conditions: Vcc=-50V, Vi=0; Input voltage on vion: Max: -1.3V; Conditions: Vo=-0.3V, Ic=-5mA; Output voltage on voon: Max: -0.3V; Conditions: Io/Ii=-5mA/-0.25mA; Resistance ratio r2 r1: Max: 12; Min: 8; Typ: 10; Input voltage off vioff: Min: -0.5V; Conditions: Vcc=-5V, Ic=-100uA; Граничная частота ft: Typ: 250MHz; Conditions: Vce=-10V, Ie=-5mA, f=100MHz |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?