Документация
UMD12N, Биполярный транзистор NPN+PNP 50В 100мА 150мВт SOT-363 с резистором
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
2 984 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 970 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,41 |
Склад 12
В наличии:14 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 100 | 1,61 |
| от 1 000 | 1,53 |
Описание
Биполярный транзистор UMD12N от YJ — это сдвоенный NPN+PNP компонент со встроенными резисторами в корпусе SOT-363. Работает при напряжении до 50 В и токе до 100 мА, мощность рассеивания — 150 мВт. Благодаря встроенным смещающим резисторам упрощает проектирование инверторных схем без внешних деталей. Подходит для поверхностного монтажа в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | D12 |
| Корпус | SOT-363 |
| Особенности | Built-in bias resistors enable inverter circuit without external resistors, Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating, Surface mount package ideally suited for automatic insertion, Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 |
| Тип монтажа | SMD |
| Соответствие | RoHS |
| Корпус | SOT-363-6 |
| Количество в катушке | 3000 |
| Weight approx | 0.009g |
| Тип компонента | Digital Transistor (NPN+PNP) with built-in resistors |
| Структура | NPN+PNP |
| Hfe мин. | 68 |
| Npn input current max | 0.18mA |
| Pnp input current max | -0.18mA |
| Npn output current max | 100mA |
| Npn supply voltage max | 50V |
| Pnp output current max | -100mA |
| Pnp supply voltage max | -50V |
| Npn input voltage range | -10V to +40V |
| Pnp input voltage range | -40V to +10V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Input resistance R1 range | 32.9kΩ to 61.1kΩ |
| Npn output voltage on max | 0.3V |
| Pnp output voltage on max | -0.3V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Npn output current off max | 0.5µA |
| Pnp output current off max | -0.5µA |
| Input resistance R1 typical | 47kΩ |
| Resistance ratio R2 R1 range | 0.8 to 1.2 |
| Transition frequency typical | 250 MHz |
| Resistance ratio R2 R1 typical | 1 |
| Power dissipation per transistor | 150mW |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?