+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
ULN2803A
Документация

Набор NPN транз. x 8 50V 0.5A 2.7kOhm input resistor for 5V TTL and CMOS

Артикул:770945
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
1 342 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 052 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1142,96
от 20133,33
от 40125,48
от 80119,62
от 140115,26
Склад 12
В наличии:290 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1310,50
от 10281,20
Описание

Микросхема ULN2803A от STMicroelectronics представляет собой сборку из восьми NPN транзисторов Дарлингтона. Компонент рассчитан на напряжение до 50 В и ток до 0,5 А, оснащён встроенными входными резисторами 2,7 кОм для прямой стыковки с 5-вольтовой TTL и CMOS логикой. Предназначен для управления нагрузками с высоким током, такими как реле, шаговые двигатели и лампы накаливания.

Технические характеристики
УсилениеDc forward current gain: 1000 (min) at Vce=2V, Ic=350mA
ТипDarlington transistor array
Мощность, ВтTotal package: 2.25W; Per darlington: 1W
Ток, АCollector peak: 600mA; Base continuous: 25mA; Input current on: 0.93mA (typ), 1.35mA (max) at Vin=3.85V; Вх. ток выкл.: 50µA (min) at Ic=500µA; Collector continuous: 500mA
LeakageClamp diode leakage: 50µA at Vr=50V, 25°C; 100µA at 70°C; Ток утечки вых.: 50µA at Vce=50V, 25°C; 100µA at 70°C
КорпусТип: DIP-18; Тип монтажа: THT; Размеры мм: D: 23.24 (max); E: 8.5 (max); F: 7.1 (max); I: 3.93 (max); L: 3.3 (max); Z: 1.27 to 1.59; E: 2.54 (typ); E3: 20.32 (typ)
Напряжение, ВInput max: 30V; Output max: 50V; Clamp diode forward: 2V; Collector emitter saturation: 100mA: 1.1V; 200mA: 1.3V; 350mA: 1.6V
Каналы8
Тип монтажаTHT
КомпонентULN2803A
ЧастотаЗадержка включения: 0.25µs (typ), 1µs (max); Задержка выключения: 0.25µs (typ), 1µs (max)
СопротивлениеInput resistor: 2.7kΩ
ЁмкостьВх. емкость: 15pF (typ), 25pF (max)
ОписаниеEight Darlington array with common emitters and integral suppression diodes, 2.7kΩ input resistor for 5V TTL and CMOS
ТемператураStorage: -55°C to 150°C; Junction: -20°C to 150°C; Operating: -20°C to 85°C
Логическое семейство5V TTL/CMOS
КорпусDIP18
Input current on0.93mA typ, 1.35mA max at V_in=3.85V
Входное сопротивление2.7kΩ
Input voltage on2.7V typ, 3V max at I_c=300mA
Вх. емкость15pF typ, 25pF max
Вх. ток выкл.50µA typ, 65µA max at V_in=12V and I_c=500µA
Макс. выходное напряжение50V
Размеры упаковкиШаг: 2.54mm; Ширина: 8.5mm; Длина: 23.24mm
Тепловое сопротивлениеJunction to ambient: 55°C/W
Время задержки включения0.25µs typ, 1µs max
Время задержки выключения0.25µs typ, 1µs max
Peak collector current600mA
Dc forward current gain1000 typ at 350mA
Общая рассеиваемая мощность2.25W
Тип упаковкиTube (туба)
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Диапазон темп. перехода-20 to 150°C
Clamp diode forward voltage1.7V typ, 2V max at 350mA
Clamp diode leakage current50µA at 50V, 100µA at 70°C
Диап. раб. темп.-20 to 85°C
Continuous collector current500mA
Описание (англ.)Trans Darlington NPN 50V 0.5A 2250mW 18-Pin PDIP Tube
Per channel power dissipation1W
Тепловое сопротивление переход-среда55°C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер100mA: 0.9V typ, 1.1V max; 200mA: 1.1V typ, 1.3V max; 350mA: 1.3V typ, 1.6V max

Заметили ошибку в описании или параметрах?