+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
ULN2004A
Документация

Набор ключей x 7 50V 0.5A Interfaces: 6–15V CMOS, PMOS

Артикул:817029
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
988 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:988 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 22 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 133,50
от 2532,51
от 5031,13
от 10029,14
от 17526,91
Описание

Микросхема ULN2004A от STMicroelectronics — это набор из семи ключей Дарлингтона. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0,5 А, совместима с логикой 6–15 В (CMOS, PMOS). Выпускается в корпусе DIP16. Применяется в промышленной автоматике и управлении нагрузками.

Технические характеристики
ОсобенностиOpen collector Darlington pairs, Common emitters, Integrated suppression diodes for inductive loads, Inputs opposite outputs for layout simplicity, Outputs can be paralleled for higher current
Тип устройстваDarlington array
КорпусDIP16
Mounting so16SMD
Mounting dip16THT
Package availableDIP-16L, SO-16 Narrow
Количество каналов7
Макс. выходное напряжение50V
Hfe мин.1000
Input compatibilityCMOS, PMOS
Диап. вх. напр.6V to 15V
Input current on typ0.35mA (at V_in=5V)
Тип. входная емкость15pF
Input current off max65µA
Saturation voltage typ1.1V (at 100mA), 1.3V (at 200mA), 1.6V (at 350mA)
Время задержки вкл. тип.0.25µs
Package dimensions so16Шаг: 1.27mm; Width max: 6.2mm; Width min: 5.8mm; Макс. высота: 1.75mm; Макс. длина: 10mm; Мин. длина: 9.8mm
Время задержки выкл. тип.0.25µs
Тип упаковкиTube (туба)
Макс. темп. перехода150°C
Package dimensions dip16Шаг: 2.54mm; Width max: 8.26mm; Макс. высота: 5.33mm; Макс. длина: 19.69mm; Мин. длина: 18.067mm
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Макс. ток утечки100µA (at 85°C)
Диап. раб. темп.-40°C to 85°C
Описание (англ.)TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Clamp diode forward voltage typ1.7V (at 350mA)
Clamp diode leakage current max50µA
Output current peak per channel600mA
Output current continuous per channel500mA
Thermal resistance junction ambient so16120°C/W
Thermal resistance junction ambient dip1670°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?