Документация
ULN2003ADR2G, 7 транзисторов Дарлингтона NPN 50В 0.5A, TTL,CMOS SO16
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
470 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:470 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,53 |
| от 50 | 12,40 |
Описание
Микросхема ULN2003ADR2G от ON Semiconductor — это сборка из семи транзисторов Дарлингтона NPN. Работает при напряжении до 50 В и токе до 0.5 А, выпускается в компактном корпусе SOIC-16 для поверхностного монтажа. Подходит для управления нагрузками в промышленной автоматике, шаговыми двигателями и реле.
Технические характеристики
| Тип | NPN Darlington Transistor Array |
| Маркировка | ULN2003AG |
| Корпус | SOIC-16 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | Tape & Reel, 2500 units |
| Описание | High Voltage, High Current Darlington Transistor Array |
| Артикул | ULN2003ADR2G |
| Задержка включения | 0.25μs typical, 1.0μs max |
| Input resistor | 2.7kΩ |
| Задержка выключения | 0.25μs typical, 1.0μs max |
| Коэф. усиления DC | 1000 min at VCE=2V, IC=350mA |
| Input current on | 0.93mA typical, 1.35mA max at VI=3.85V |
| Input voltage on | 2.4V max at IC=200mA, 2.7V at 250mA, 3.0V at 300mA |
| Max base current | 25mA |
| Модель машины ЭСР | 400V |
| Вх. емкость | 15pF typical, 30pF max |
| Вх. ток выкл. | 50μA min, 100μA max at IC=500μA, TA=85°C |
| Макс. входное напряжение | 30V |
| Количество каналов | 7 |
| Размеры упаковки | Шаг: 1.27mm; Width max: 4.00mm; Width min: 3.80mm; Макс. высота: 1.75mm; Height min: 1.35mm; Макс. длина: 10.00mm; Мин. длина: 9.80mm |
| Saturation voltage | Ic 100ma ib 250ua: 0.85V typical, 1.1V max; Ic 200ma ib 350ua: 0.95V typical, 1.3V max; Ic 350ma ib 500ua: 1.1V typical, 1.6V max |
| ESD HBM | 2000V |
| Esd charged device model | 1500V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Max peak collector current | 500mA |
| Clamp diode forward voltage | 1.5V typical, 2.0V max at IF=350mA |
| Clamp diode leakage current | 50μA max at 25°C, 100μA max at 85°C at VR=50V |
| Диап. раб. темп. | -20°C to +85°C |
| Max collector emitter voltage | 50V |
| Max continuous collector current | 500mA |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 20°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?