Документация
Симистор 1200В 170А TO220AB TXDV1212RG
У поставщика
ПроизводительSTMicroelectronics
У поставщиков
92 шт.
Норм. уп.: 5
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:92 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 5
Минимальная партия: 120 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 300,15 |
| от 5 | 239,09 |
| от 50 | 220,41 |
Описание
Симистор TXDV1212RG от STMicroelectronics рассчитан на напряжение до 1200 В и ток до 170 А. Компонент выполнен в изолированном корпусе TO-220AB для монтажа в отверстия. Подходит для мощных схем управления нагрузками в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | Triac (alternistor) |
| Вес | 2.3g |
| Маркировка | TXDV1212 |
| Корпус | TO-220AB insulated |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Ширина корпуса: 10.00 to 10.40 mm; Шаг выводов: 2.40 to 2.70 mm; Высота корпуса: 4.40 to 4.60 mm; Длина корпуса: 15.20 to 15.90 mm |
| I2t fusing | 72 A²s (10ms) |
| Артикул | TXDV1212RG |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Base quantity | 50 |
| Способ поставки | трубка |
| Critical di dt | 100 A/µs |
| Dv dt min 125c | 2 kV/µs |
| Lead pitch max | 2.70mm |
| Lead pitch min | 2.40mm |
| Noise immunity | 2 kV/µs |
| Gate power peak | 10W (20µs) |
| I2t fusing 10ms | 72 A^2s |
| Lead length max | 2.95mm |
| Длина вывода мин. | 2.65mm |
| Блокирующее напряжение | 1200V |
| Commutation rate | 30 A/ms (at 10V/µs) |
| Gate current max | 100mA |
| Кол-во в упаковке | 50 (tube) |
| Gate current peak | 4A (20µs) |
| Gate voltage peak | 16V |
| Lead width b1 max | 0.88mm |
| Lead width b1 min | 0.61mm |
| Lead width b2 max | 1.32mm |
| Lead width b2 min | 1.23mm |
| Gate power average | 1W |
| Напр. изоляции | 2500 V rms |
| Gate peak power max | 10W |
| Holding current max | 100mA |
| Hole diameter i max | 3.85mm |
| Hole diameter i min | 3.75mm |
| Leakage current 25C | 0.01 mA |
| Темп. хранения | -40 to +150 °C |
| Leakage current 110C | 5 mA |
| Noise immunity dv dt | 2000 V/µs |
| On state current rms | 12A |
| On state voltage max | 1.95V |
| Gate peak current max | 4A |
| Gate peak voltage max | 16V |
| Gate trigger time typ | 2.5 µs |
| Lead thickness c1 max | 0.70mm |
| Lead thickness c1 min | 0.49mm |
| Threshold voltage max | 1.21V |
| Макс. динамическое сопротивление | 40 mΩ |
| Gate average power max | 1W |
| Insulation voltage rms | 2500V |
| Package body width max | 10.40mm |
| Package body width min | 10.00mm |
| Leakage current 25c max | 0.01mA |
| Package body height max | 15.90mm |
| Package body height min | 15.20mm |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -40°C |
| Blocking voltage drm rrm | 1200V |
| Gate trigger current max | 100mA |
| Gate trigger voltage max | 1.5V |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Темп. перехода мин. | -40°C |
| Leakage current 110c max | 5mA |
| Commutation di dt min 110c | 30 A/ms |
| Package body thickness max | 4.60mm |
| Package body thickness min | 4.40mm |
| Surge current non repetitive | 170A (2.5ms), 125A (8.3ms), 120A (10ms) |
| Gate trigger voltage min 110c | 0.2V |
| Рабочая температура перехода | -40 to +125 °C |
| Latching current quadrant ii typ | 200mA |
| Non repetitive surge current 10ms | 120A |
| Non repetitive surge current 2 5ms | 170A |
| Non repetitive surge current 8 3ms | 125A |
| Latching current quadrant i iii typ | 100mA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 60 °C/W |
| Thermal resistance junction case dc | 2.5 °C/W |
| Critical rate of rise on state current | 100 A/µs |
| Термосопротивление переход-среда | 60 °C/W |
| Thermal resistance junction to case AC | 1.9 °C/W |
| Thermal resistance junction to case DC | 2.5 °C/W |
| Thermal resistance junction case ac 360 | 1.9 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?