Документация
Резисторы / Резисторы переменные и подстроечные / 68 кOм / 3329H1-683LF (TSR-3329H-683R)
У поставщика
ПроизводительSuntan
КатегорияРезисторы переменные имп. 3296
У поставщиков
502 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 14
В наличии:446 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 38,49 |
Склад 13
В наличии:56 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 58,35 |
| от 36 | 53,77 |
| от 100 | 50,01 |
| от 150 | 47,21 |
| от 300 | 45,10 |
Описание
Подстроечный резистор TSR-3329H-683R от Suntan — это компактный многооборотный потенциометр номиналом 68 кОм. Выполнен в прямоугольном корпусе с подстроечным винтом, предназначен для точной настройки сопротивления в цепях постоянного и переменного тока. Модель 3329H1-683LF отличается стабильностью параметров и подходит для монтажа в плату.
Технические характеристики
| RoHS | Да |
| Тип | подстроечный |
| Корпус | 3329 series |
| Тип монтажа | Through-hole (THT) |
| Collision | 390 m/s², 4000 cycles; ΔR ≤5% R |
| Упаковка | 50 pcs per tube |
| Допуск | ±10% |
| Вибрация | 10-500 Hz, 0.75 mm, 6 h; ΔR ≤5% R, Δ(Uab/Uac) ≤7.5% R |
| Сопротивление | 68kΩ |
| Макс. напряжение | 315V |
| Ном. мощность | 0.5W @ 70°C, 0W @ 125°C |
| Корпус | 3296 |
| Монтаж | Выводной |
| Тип компонента | Trimming potentiometer, single turn, cermet, sealed |
| Тип клемм | H (3 pins) |
| Ресурс вращения | 200 cycles, ΔR ≤4% R, CRV ≤3% or 5Ω |
| Пусковой момент | ≤35 mN·m |
| Эффективный ход | 280° ±10° |
| Темп. диапазон | -55°C to +125°C |
| Электрическая стойкость | 1000 h @ 70°C; ΔR ≤10% R, CRV ≤3% or 5Ω |
| Сопр. изоляции | ≥1 GΩ @ 100Vac |
| Temperature variation | -55°C/30 min +125°C/30 min, 5 cycles; ΔR ≤5% R, Δ(Uab/Uac) ≤5% |
| Темп. коэф. | ±250 ppm/°C (standard, ±100 ppm/°C available) |
| Сопротивление | 68 кОм |
| Absolute minimum resistance | ≤1% R or 10Ω |
| Вариация контактного сопротивления | ≤3% or 5Ω |
| Диэлектрическая прочность | 500 Vac |
Заметили ошибку в описании или параметрах?