Документация
Симистор 10А, 1000В ТС112-10-10
У поставщика
ПроизводительПреобразователь
У поставщиков
145 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:145 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 271,94 |
| от 2 | 268,84 |
| от 3 | 264,91 |
| от 5 | 259,90 |
| от 10 | 253,26 |
Описание
Симистор ТС112-10-10 производства «Преобразователь» предназначен для коммутации цепей переменного тока. Компонент рассчитан на номинальный ток 10 А и максимальное рабочее напряжение 1000 В. Применяется в схемах регулировки мощности, системах управления освещением и электродвигателями.
Технические характеристики
| Масса | 6g |
| Тип | triac |
| Класс | 10 |
| Cooler | О111 |
| Серия | ТС112 |
| Корпус | ТС112 |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | ТС112-10-10 |
| Частота | 50Hz |
| Описание | Симистор 10А, 1000В ТС112-10-10 |
| Производитель | ООО «Элемент – Преобразователь» |
| Класс напряжения | 10 |
| Turn on time tgt | 12us |
| Holding current ih | 45mA |
| Gate delay time tgd | 4us |
| Latching current il | 60mA |
| Leakage path length l | 1.6mm |
| Год выпуска | 2016 |
| Dc off state voltage vd | 0.6*VDRM |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| On state rms current 40c | 7A |
| Peak on state voltage vtm | 1.85V |
| Surge on state current itsm | 70A |
| Gate trigger current igt 25c | 100mA |
| Gate trigger voltage vgt 25c | 2.0V |
| Max junction temperature tjm | 125C |
| Non trigger gate voltage vgd | 0.25V |
| Max storage temperature tstgm | 50C |
| Dynamic on state resistance rt | 0.046Ohm |
| Min junction temperature tjmin | -50C |
| Max rms on state current it rms | 10A |
| Min storage temperature tstgmin | -50C |
| Threshold on state voltage vt to | 1.2V |
| Gate trigger current igt minus50c | 460mA |
| Gate trigger current igt minus60c | 600mA |
| Gate trigger voltage vgt minus50c | 4.0V |
| Gate trigger voltage vgt minus60c | 4.6V |
| Impulse working off state voltage vdwm | 0.8*VDRM |
| Repetitive peak off state voltage vdrm | 1000V |
| Thermal resistance case heatsink rthch | 0.2C/W |
| Thermal resistance junction case rthjc | 2.50C/W |
| Thermal resistance junction ambient rthja | 8.30C/W |
| Non repetitive peak off state voltage vdsm | 1100V |
| Repetitive peak off state current idrm 25c | 1.7mA |
| Critical rate of rise on state current didt | 50A/us |
| Repetitive peak off state current idrm 125c | 3.0mA |
| Critical rate of rise commutation voltage dvdt | not normalized, min 1 V/us |
Заметили ошибку в описании или параметрах?