Документация
Микросхема TPS76925DBVT
У поставщика
У поставщиков
653 шт.
Норм. уп.: 250
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:653 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 250
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,62 |
| от 12 | 60,20 |
| от 24 | 58,25 |
| от 47 | 55,30 |
| от 94 | 51,49 |
Описание
Микросхема TPS76925DBVT от Texas Instruments представляет собой низковольтный стабилизатор напряжения с фиксированным выходом. Отличается сверхнизким собственным потреблением тока и высокой точностью поддержания выходного напряжения. Предназначена для применения в портативных устройствах с батарейным питанием, где критичны энергоэффективность и малые габариты корпуса SOT-23.
Технические характеристики
| Семейство | TPS769xx |
| Цоколевка | 1: IN; 2: GND; 3: EN; 4: NC; 5: OUT |
| Корпус | SOT-23 (DBV) |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 5 |
| Описание | Ultralow-Power 100-mA Low-Dropout Linear Regulator |
| Артикул | TPS76925DBVT |
| Enable logic | logic-enabled sleep mode |
| Рейтинг ЭСР HBM | 2kV |
| Макс. вх. напр. | 10V |
| Мин. входное напряжение | 2.7V |
| Макс. вых. ток | 100mA |
| Dropout voltage typ | 71mV at 100mA |
| Защита | over current limitation, thermal protection |
| Standby current typ | 1µA |
| Output voltage fixed | 2.5V |
| Диап. вых. напр. | 1.2V to 5.5V |
| Макс. ток покоя | 28µA |
| Ток покоя тип. | 17µA at 100mA |
| Выходная емкость тип. | 4.7µF |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Power dissipation 25c low k | 386mW |
| Power dissipation 70c low k | 212mW |
| Power dissipation 85c low k | 154mW |
| Power dissipation 25c high k | 555mW |
| Power dissipation 70c high k | 305mW |
| Power dissipation 85c high k | 222mW |
| Описание (англ.) | REG LDO 2.5V 0.1A SOT23-5 |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Мин. темп. перехода | -40°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 65.8°C/W |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Thermal resistance junction to ambient low k | 259°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient high k | 180°C/W |
| Напряжение, В | 2,5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?