Документация
Микросхема TPS51200DRCR корпус VSON10(3x3)
У поставщика
У поставщиков
8 882 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:8 874 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 22 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 33,48 |
| от 197 | 30,92 |
| от 393 | 29,21 |
| от 785 | 27,72 |
| от 1 569 | 26,70 |
Склад 12
В наличии:8 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 250 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 43,47 |
| от 25 | 41,71 |
| от 250 | 41,50 |
Описание
Микросхема TPS51200DRCR от Texas Instruments — это специализированный LDO-стабилизатор для питания DDR-памяти. Работает от входного напряжения 2,375–3,5 В, обеспечивает ток до 4,5 А в режиме источника и до 5,5 А в режиме стока. Корпус VSON10 (3x3 мм) подходит для поверхностного монтажа. Применяется в серверах, ноутбуках и промышленных контроллерах для питания шин VTT.
Технические характеристики
| Корпус | VSON10 (3x3mm) |
| Особенности | Sink/Source DDR Termination Regulator, Droop Compensation, Remote Sensing (VOSNS), Buffered Reference (REFOUT), Built-in Soft Start, UVLO, OCL, Thermal Shutdown, PGOOD Output |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 10 |
| Применение | DDR, DDR2, DDR3, Low Power DDR3/DDR4 VTT termination, Notebook/Desktop/Server, Telecom/Datacom, LCD-TV, PDP-TV, Copier/Printer, Set-Top Box |
| Package name | SON-10 |
| Выводы корпуса | 10 |
| Тип упаковки | VSON-10 (PowerPAD) |
| En hysteresis | 0.5V |
| Esd limitation | limited built-in ESD protection |
| Способ монтажа | SMD |
| Коэф. сниж. | 19mW/°C |
| Pgood bad delay | 10µs |
| Uvlo hysteresis | 50mV |
| En logic low max | 0.3V |
| Pgood hysteresis | 5% |
| U vio hysteresis | 50mV |
| En logic high min | 1.7V |
| Enable hysteresis | 0.5V |
| Макс. вх. напр. | 3.5V |
| Мин. входное напряжение | 2.375V |
| Размеры упаковки | 3.0mm x 3.0mm |
| Ref in voltage max | 1.8V |
| Ref in voltage min | 0.5V |
| Sink current limit | 5.5A |
| Макс. ток питания | 1mA |
| Vldoin voltage max | 3.5V |
| Vldoin voltage min | 1.1V |
| Pgood startup delay | 2ms |
| Power rating at 25c | 1.92W |
| Power rating at 85c | 0.79W |
| Refin input current | 1µA |
| Refin voltage range | 0.5V to 1.8V |
| Uvlo threshold vmax | 2.375V |
| Uvlo threshold vmin | 2.2V |
| Vin uvlo hysteresis | 50mV |
| Диап. вых. напр. | 0.5V to 1.8V (via REFIN) |
| Power good bad delay | 10µs |
| Макс. ток отключения | 80µA |
| Source current limit | 4.5A |
| Vldoin voltage range | 1.1V to 3.5V |
| Pgood threshold lower | -20% |
| Pgood threshold upper | +20% |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.92W (at 25°C) |
| Power good hysteresis | 5% |
| Refin uvlo hysteresis | 20mV |
| Current limit sink min | 3.5A |
| Output capacitance min | 20µF |
| Ток питания типовой | 0.7mA |
| Точность выходного напряжения | ±15mV |
| Ref in u vio hysteresis | 20mV |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Current limit source min | 3A |
| Discharge resistance max | 25Ω |
| Enable threshold low max | 0.3V |
| Допуск вых. напр. | ±15mV (no load), ±25mV (full load) |
| Pgood output low voltage | 0.4V (at 4mA sink) |
| Power dissipation at 25c | 1.92W |
| Power dissipation at 85C | 0.79W |
| Power dissipation at 85c | 0.79W |
| Power good startup delay | 2ms |
| Refin uvlo threshold max | 420mV |
| Refin uvlo threshold min | 360mV |
| Refout voltage tolerance | ±15mV |
| Shutdown current typical | 20µA |
| Thermal shutdown typical | 150°C |
| Continuous output current | 2A (typical) |
| Enable hysteresis voltage | 0.5V |
| Enable threshold high min | 1.7V |
| Макс. раб. темп. | 85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Output sink current limit | 3.5A to 5.5A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Vin uvlo threshold wakeup | 2.3V |
| Vldoin supply current max | 50µA |
| Абс. макс. вх. напр. | 3.6V |
| Output capacitance minimum | 20µF |
| Тип. выходная емкость | 3 x 10µF MLCC |
| Power dissipation derating | 19mW/°C |
| Power good leakage current | 1µA |
| Power good threshold lower | -20% |
| Power good threshold upper | +20% |
| Ref in u vio threshold max | 420mV |
| Ref in u vio threshold min | 360mV |
| Reffout sink current limit | 40mA |
| Reftout sink current limit | 10mA to 40mA |
| U vio threshold rising max | 2.375V |
| U vio threshold rising min | 2.2V |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 85°C |
| Output current sink typical | 5.5A |
| Output source current limit | 3A to 4.5A |
| Output voltage absolute max | 3.6V |
| Ref in voltage absolute max | 3.6V |
| Refin uvlo threshold rising | 390mV |
| Гистерезис тепловой защиты | 25°C |
| Vldoin shutdown current max | 50µA |
| Vldoin voltage absolute max | 3.6V |
| Discharge resistance typical | 18Ω |
| Enable logic leakage current | ±1µA |
| Ref in input current typical | 1µA |
| Reffout source current limit | 40mA |
| Reftout source current limit | 10mA to 40mA |
| Темп. тепловой защиты | 150°C |
| Output current source typical | 4.5A |
| Pgood threshold lower typical | -20% |
| Pgood threshold upper typical | 20% |
| Power good output low voltage | 0.4V |
| Refout sink current limit min | 10mA |
| Vldoin supply current typical | 1µA |
| Enable low level input voltage | 0.3V |
| Output voltage recommended max | 3.5V |
| Ref in u vio threshold typical | 390mV |
| U vio threshold rising typical | 2.3V |
| Enable high level input voltage | 1.7V |
| Refout source current limit min | 10mA |
| Vldoin shutdown current typical | 0.1µA |
| Power dissipation derating factor | 19mW/°C |
| Junction to thermal pad resistance | 10.24°C/W |
| Thermal resistance junction to pad | 10.24°C/W |
| Thermal shutdown temperature typical | 150°C |
| Junction to ambient thermal resistance | 52.06°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 52.06°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?