Документация
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт
У поставщика
ПроизводительTRANSPH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6 354,47 |
| от 2 | 6 305,65 |
| от 3 | 6 247,79 |
| от 4 | 6 176,82 |
| от 5 | 6 085,14 |
Описание
Модуль силовой сборки GaN MOSFET от TRANSPH выполнен по технологии нитрида галлия. Устройство включает два N-канальных транзистора в конфигурации полумоста на напряжение 600 В и ток 70 А с мощностью рассеивания 470 Вт. Компонент в корпусе Module подходит для высокочастотных преобразователей и импульсных источников питания в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Q g | 28nC |
| R g | 0.9Ω |
| T f | 8ns |
| T j | -40 to 150°C |
| T r | 7ns |
| Q gd | 10nC |
| Q gs | 6nC |
| V ds | 600V |
| V gs | ±18V |
| V sd | 1.53V |
| C iss | 2260pF |
| C oss | 248pF |
| C rss | 23pF |
| I dss | 6µA |
| T stg | -40 to 125°C |
| V iso | 2500V |
| C o er | 400pF |
| C o tr | 640pF |
| T d on | 36ns |
| Вес | 95g |
| I d 25c | 70A |
| Корпус | модуль |
| R g max | 1.5Ω |
| R th ja | 18°C/W |
| T d off | 58ns |
| V gs th | 2.2V |
| I d 100c | 40A |
| Тип монтажа | модуль |
| Q rr 25c | 292nC |
| T rr 25c | 32ns |
| I dss max | 90µA |
| Q rr 150c | 304nC |
| T rr 150c | 34ns |
| V sd 150c | 2.06V |
| Технология | GaN HEMT |
| Описание | GaN Power Hybrid HEMT Half-Bridge Module |
| I dm pulsed | 240A |
| I s reverse | 40A |
| Артикул | TPD3215M |
| R ds on 25c | 30mΩ |
| R ds on 125c | 53mΩ |
| R ds on 150c | 62mΩ |
| Конфигурация | 2 N-channel |
| R ds on 25c max | 34mΩ |
| Torque strength | 2.5-3.5 N-m |
| V dst transient | 750V |
| R ds on 125c max | 57mΩ |
| R ds on 150c max | 66mΩ |
| T soldering peak | 300°C |
| I gss forward max | 200nA |
| I gss reverse max | -200nA |
| I s reverse pulse | 100A |
| P d 25c per switch | 235W |
| R th jc per switch | 0.53°C/W |
| P d 25c whole module | 470W |
| R th jc whole module | 0.27°C/W |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Описание (англ.) | MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (Halbbrьcke) 600V 70 A (Tc) 470W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?