Документация
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт
У поставщика
ПроизводительTRANSPH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6 159,95 |
| от 2 | 6 112,63 |
| от 3 | 6 056,52 |
| от 4 | 5 987,74 |
| от 5 | 5 898,87 |
Описание
Модуль силовой сборки GaN MOSFET от TRANSPH выполнен по технологии нитрида галлия. Устройство включает два N-канальных транзистора в конфигурации полумоста на напряжение 600 В и ток 70 А с мощностью рассеивания 470 Вт. Компонент в корпусе Module подходит для высокочастотных преобразователей и импульсных источников питания в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | модуль |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Описание (англ.) | MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (Halbbrьcke) 600V 70 A (Tc) 470W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?