Документация
Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт
У поставщика
ПроизводительTRANSPH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 шт.
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5 902,64 ₽
Сумма5 902,64 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 5 902,64 ₽. До заказа без доплаты не хватает 11 397,36 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 шт · Склад 13 · 5 902,64 ₽
Описание
Модуль силовой сборки GaN MOSFET от TRANSPH выполнен по технологии нитрида галлия. Устройство включает два N-канальных транзистора в конфигурации полумоста на напряжение 600 В и ток 70 А с мощностью рассеивания 470 Вт. Компонент в корпусе Module подходит для высокочастотных преобразователей и импульсных источников питания в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Заряд затвора | 28nC |
| R g | 0.9Ω |
| Время спада, t_f | 8ns |
| Температура перехода | -40 to 150°C |
| Время нарастания | 7ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 10nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 6nC |
| Напряжение сток-исток | 600V |
| Напряжение затвор-исток | ±18V |
| Напряжение V_SD | 1.53V |
| Входная ёмкость | 2260pF |
| Выходная ёмкость | 248pF |
| Проходная ёмкость | 23pF |
| Ток утечки сток-исток (IDSS) | 6µA |
| Температура хранения | -40 to 125°C |
| Напряжение изоляции | 2500V |
| C o er | 400pF |
| C o tr | 640pF |
| Задержка включения | 36ns |
| Вес | 95g |
| Ток стока при 25 °C | 70A |
| Корпус | модуль |
| R g max | 1.5Ω |
| Тепловое сопротивление RthJA | 18°C/W |
| Время выключения, t_d_off | 58ns |
| Пороговое напряжение затвор-исток | 2.2V |
| Ток стока при 100 °C | 40A |
| Тип монтажа | модуль |
| Q rr 25c | 292nC |
| Время обратного восстановления при 25 °C | 32ns |
| Ток утечки сток-исток IDSS, макс. | 90µA |
| Q rr 150c | 304nC |
| T rr 150c | 34ns |
| V sd 150c | 2.06V |
| Технология | GaN HEMT |
| Описание | GaN Power Hybrid HEMT Half-Bridge Module |
| Импульсный ток Idm | 240A |
| I s reverse | 40A |
| Артикул | TPD3215M |
| R ds on 25c | 30mΩ |
| R ds on 125c | 53mΩ |
| R ds on 150c | 62mΩ |
| Конфигурация | 2 N-channel |
| R ds on 25c max | 34mΩ |
| Torque strength | 2.5-3.5 N-m |
| V dst transient | 750V |
| R ds on 125c max | 57mΩ |
| R ds on 150c max | 66mΩ |
| T soldering peak | 300°C |
| Макс. прямой ток утечки затвора | 200nA |
| Макс. обратный ток утечки затвора | -200nA |
| I s reverse pulse | 100A |
| P d 25c per switch | 235W |
| R th jc per switch | 0.53°C/W |
| P d 25c whole module | 470W |
| R th jc whole module | 0.27°C/W |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Описание (англ.) | MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (Halbbrьcke) 600V 70 A (Tc) 470W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?