Документация
TPD1E10B06DPYR, [X1SON] ESD Protection Devices ROHS=TPD1E10B06DPYR (TI)
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
7 200 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:7 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 500 | 1,63 |
| от 5 000 | 1,46 |
Описание
Защитный диод от перенапряжений (TVS) производства UMW. Компонент рассчитан на двунаправленную защиту при рабочем напряжении до 5,5 В, выдерживает ESD-разряды до ±30 кВ (воздух и контакт) и обеспечивает пиковую импульсную мощность 90 Вт. Выполнен в миниатюрном корпусе X1SON для поверхностного монтажа. Подходит для защиты высокоскоростных интерфейсов (до 400 Мбит/с) в портативной и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Корпус | X1SON |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 2 |
| Код заказа | UMW TPD1E0B06DPYR |
| Наименование | TPD1E10B06DPYR |
| Код упаковки | DPY |
| Корпус | X1SON |
| Bidirectional | Да |
| Макс. скорость передачи данных | 400Mbps |
| Соотв. RoHS | Да |
| Импульсная мощность макс. | 90W |
| Описание | ESD Protection Diodes / TVS Diodes Sgl Channel ESD A 59 5-TPD1E10B06DPYT A A 595-TPD1E10B06DPYT |
| Размеры упаковки | Высота: 0.50mm to 0.70mm; Ширина корпуса: 0.70mm to 0.90mm; Длина корпуса: 1.10mm to 1.30mm; Total length including leads: 1.50mm to 1.70mm |
| Тип. емкость | 12pF |
| Макс. ток утечки | 100nA |
| Мин. пробойное напр. | 6V |
| Esd air gap discharge | ±30kV |
| Контактный разряд ЭСР | ±30kV |
| Clamping voltage at 1a | 10V |
| Clamping voltage at 5a | 14V |
| Диап. раб. напр. | -5.5V to 5.5V |
| Обратное напряжение | 5.5V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 155°C |
| Capacitance test condition | V_IO=2.5V, f=1MHz |
| Iec 61000 4 5 surge current | 6A |
| Диап. раб. темп. | -40°C to 125°C |
| Iec 61000 4 5 surge waveform | 8/20µs |
| Breakdown voltage test current | 1mA |
| Leakage current test condition | 5V |
| Dynamic resistance pin1 to pin2 | 0.32Ω |
| Dynamic resistance pin2 to pin1 | 0.38Ω |
| Термосопротивление кристалл-плата | 493.3°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 615.5°C/W |
| Thermal resistance junction to case top | 404.8°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?