TP65H035G4WS
У поставщика
ПроизводительTRANSPH
У поставщиков
20 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:20 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 872,13 |
Описание
TP65H035G4WS — силовой транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании Transphorm. Компонент предназначен для высокоэффективной силовой электроники, обеспечивая высокую частоту переключения и низкие потери проводимости. Применяется в импульсных источниках питания, блоках питания для телекоммуникационного оборудования и системах преобразования энергии. Отличается высокой надежностью и компактным исполнением для плотного монтажа.
Технические характеристики
| Описание | GaN FETs 650V, 35mOhm |
| Напряжение, В | 650 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?