Документация
Тиристор оптронный 25А, 800В ТО132-25-8
У поставщика
ПроизводительПреобразователь
У поставщиков
13 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:13 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 817,59 |
| от 2 | 809,81 |
| от 3 | 800,41 |
| от 4 | 788,70 |
| от 5 | 773,41 |
Описание
Оптронный тиристор ТО132-25-8 от производителя «Преобразователь» рассчитан на ток 25 А и напряжение 800 В. Компонент выпущен в 2018 году, поставляется в россыпи (Bulk). Применяется в схемах промышленной автоматики и силовых блоках управления.
Технические характеристики
| Масса | 25.5g |
| Класс | 8 |
| Серия | ТО132 |
| Корпус | TO132 |
| Variant | ТО132-25 |
| Тип монтажа | THT |
| Компонент | ТО132-25-8 |
| Описание | Тиристор оптронный 25А, 800В |
| Delay time tgd | 5us |
| Turn off time tq | 160us |
| Turn on time tgt | 10us |
| Torque anode lead | 5.6 ± 0.6 Nm |
| Holding current ih | 70mA |
| Latching current il | 100mA |
| Leakage path length | 2.26mm |
| Dc reverse voltage vr | 0.6*VRRM |
| Isolation voltage uig | 2000V |
| Год выпуска | 2018 |
| Dc off state voltage vd | 0.6*VDRM |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Gate trigger current igt | 80mA |
| Gate trigger voltage ugt | 1.8V |
| Isolation resistance rig | 10MOhm |
| Peak on state voltage vtm | 1.85V |
| Reverse recovery time trr | 4.6us |
| Max dc gate current igtmax | 100mA |
| Reverse recovery charge qrr | 46uC |
| Stretching force gate leads | 9.8 ± 0.1 N |
| Surge on state current itsm | 660A |
| Max junction temperature tjm | 100°C |
| Rms on state current it rmsm | 39A |
| Max storage temperature tstgm | 50°C |
| Min storage temperature tstgm | -50°C |
| Stretching force cathode lead | 39.2 ± 4.0 N |
| Average on state current itavm | 25A |
| Dynamic on state resistance rt | 9.5mOhm |
| Max gate pulse current igtmmax | 700mA |
| Min junction temperature tjmin | -50°C |
| Gate trigger pulse current igtm | 150mA |
| Gate trigger pulse voltage ugtm | 2.5V |
| Non trigger dc gate current igd | 3.0mA |
| Non trigger dc gate voltage ugd | 0.9V |
| Threshold on state voltage vt to | 1.1V |
| Working peak reverse voltage vrwm | 0.8*VRRM |
| Reverse recovery peak current irrm | 20.0A |
| Actual max average on state current | 26A |
| Working peak off state voltage vdwm | 0.8*VDRM |
| Repetitive peak reverse current irrm | 3.0mA |
| Repetitive peak reverse voltage vrrm | 800V |
| Repetitive peak off state current idrm | 3.0mA |
| Repetitive peak off state voltage vdrm | 800V |
| Thermal resistance junction case rthjc | 0.7°C/W |
| Non repetitive peak reverse voltage vrsm | 900V |
| Average on state current on heatsink itav | 14A |
| Non repetitive peak off state voltage vdsm | 900V |
| Critical rate of rise on state current didt crit | 100A/us |
| Critical rate of rise off state voltage dudt crit | not normalized, min 10 V/us |
Заметили ошибку в описании или параметрах?