+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
TNY175PN
Документация

Импульсный источник электропитания сх. упpавления, MOSFET 650В/ток стока 0.275A, 132КГц, выходная мощность не более 8.5Вт

Артикул:765183
У поставщика
ПроизводительPWR
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1153,62
от 6145,72
от 12138,28
от 23132,80
от 50127,77
Описание

Микросхема импульсного источника питания TNY175PN от производителя PWR. Работает на частоте 132 кГц, оснащена встроенным MOSFET на 650 В с током стока до 0,275 А, выходная мощность не превышает 8,5 Вт. Выполнена в корпусе DIP-8. Подходит для компактных блоков питания в бытовой электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
КорпусDIP-8C
Тип монтажаВыводной
Frequency jitter1kHz
Undervoltage threshold4.9V
Internal supply voltage5.85V
Тип упаковкиTube (туба)
Current drain source max0.275A
Voltage drain source max650V
Bypass capacitor standard0.1μF
Drain source resistance on11.5Ω
Диап. раб. темп.-40°C to 150°C
Тип. частота переключ.132kHz
Гистерезис тепловой защиты70°C
Enable threshold current max115μA
Enable threshold current min75μA
Overvoltage shutdown currentI_SD
Темп. тепловой защиты142°C typical
Описание (англ.)AC/DC CONV, FLYBACK, -40 TO 125DEG C;
No load power 265vac with bias50mW
Output power max adapter 230vac8.5W
No load power 265vac without bias150mW
Output power max adapter 85 265vac6W
Output power max open frame 230vac15W
Тепловое сопротивление переход-среда80°C/W
Creepage distance drain to other pins1.5mm
Output power max open frame 85 265vac11.5W
Bypass capacitor reduced current limit1μF
Bypass capacitor increased current limit10μF

Заметили ошибку в описании или параметрах?