+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
TLP621GB
Документация

TLP621GB, PDIP4

Артикул:1210461
У поставщика
ПроизводительTOSHIBA
У поставщиков
4 000 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:4 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 600 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 166,24
от 10057,86
от 1 00043,16
Описание

Оптический изолятор TLP621GB от TOSHIBA в корпусе DIP-4 с GaAs инфракрасным светодиодом на входе и фототранзистором на выходе. Обеспечивает изоляцию до 5000 В RMS, максимальный прямой ток — 60 мА, типовое время нарастания и спада — 2 и 3 мкс. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.

Технические характеристики
RankGB
КорпусPDIP4
Тип монтажасквозное отверстие
Тип входаGaAs Infrared LED
Шаг выводов7.62mm (standard) or 10.16mm (LF2 option)
Вес тип.0.26g
Тип выходаPhototransistor
АртикулTLP621GB
КорпусDIP-4
Мин. зазор6.4mm (standard) or 8.0mm (LF2)
Тип. время спада3µs
Тип. время нарастания2µs
Storage time typ15µs
Время включения тип.3µs
Напр. изоляции5000Vrms
Конфиг. выводов1:Anode, 2:Cathode, 3:Emmitter, 4:Collector
Время выкл. тип.3µs
Макс. прямой ток60mA
Макс. прямое напряжение1.3V
Типовое прямое напряжение1.15V
Макс. обратный ток10μA
Макс. обратное напряжение5V
Макс. ток коллектора50mA
Мин. путь утечки6.4mm (standard) or 8.0mm (LF2)
Тип. входная емкость30pF
Power dissipation led100mW
Выходная емкость тип.10pF
Solder temperature max260°C (10s)
Макс. темп. хр.125°C
Мин. темп. хр.-55°C
Coupling capacitance typ0.8pF
Forward current derating-0.7mA/°C above 39°C
Insulation thickness min0.4mm
Сопротивление изоляции мин.1e12Ω
Макс. раб. темп.100°C
Мин. раб. темп.-55°C
Pulse forward current max1A (100μs pulse, 100pps)
Темновой ток коллектора макс.100nA
Collector dark current typ10nA
Коэф. передачи макс.600%
Мин. коэфф. передачи тока100%
Power dissipation detector150mW
Turn on time typ high speed2µs
Led junction temperature max125°C
Turn off time typ high speed25µs
Макс. напр. К-Э55V
Total package power dissipation250mW
Collector dark current at 85C max50μA
Collector dark current at 85C typ2μA
Detector junction temperature max125°C
Количество каналов1
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер55V
Emitter collector breakdown voltage min7V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.4V
При входном токе Iвх.,мА10
Коэффициент передачи тока CTR,%, макс.600
Максимальное выходное коммутируемое напряжение Uвых.ком.макс.,В55

Заметили ошибку в описании или параметрах?