+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
TLP620[GB.F], DIP4-300-2.54, оптрон TOSHIBA (арт. 210999)
Документация

TLP620[GB.F], DIP4-300-2.54, оптрон TOSHIBA (арт. 210999)

Артикул:743155
У поставщика
ПроизводительTOSHIBA
КатегорияОптопары
У поставщиков
100 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:100 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 100
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 122,94
Описание

TLP620[GB.F] — оптрон с выходным транзистором от TOSHIBA, выполненный в корпусе DIP4 с шагом выводов 2.54 мм и межрядным расстоянием 300 мил. Компонент предназначен для гальванической развязки цепей управления и нагрузки в промышленной электронике. Обеспечивает надёжную передачу сигнала при высоком напряжении изоляции. Применяется в блоках питания, интерфейсах ввода-вывода и системах автоматизации.

Технические характеристики
Шаг2.54mm
Ширина300mil
Вес0.26g
Типоптрон
Шаг2.54 мм
КорпусDIP-4
Тип монтажаTHT
Кол-во выводов4
ОписаниеPhotocoupler, GaAs Ired & Photo-Transistor, AC/DC input module
АртикулTLP620[GB.F]
ПроизводительTOSHIBA
КорпусDIP4
МонтажВыводной
Мин. зазор6.4mm
Quality standardUL recognized E67349, BSI approved 7426,7427, VDE approved (Option D4)
Storage time typ15µs
Время включения тип.3µs
Saturated ctr min30%
Время выкл. тип.3µs
Типовое прямое напряжение1.15V
Turn on time alt typ2µs
Макс. ток коллектора50mA
Мин. путь утечки6.4mm
Forward voltage range1.0V to 1.3V
Тип. входная емкость60pF
Turn off time alt typ25µs
Forward current rms max60mA
Switching fall time typ3µs
Switching rise time typ2µs
Insulation thickness min0.4mm
Сопротивление изоляции мин.1e12Ω
Макс. темп. перехода125°C
Forward current pulse max1A
Типовая изоляционная емкость0.8pF
Isolation voltage rms min5000Vrms
Диап. темп. хр.-55°C to 125°C
Темновой ток коллектора макс.100nA
Collector dark current typ10nA
Коэф. передачи макс.600%
Мин. коэфф. передачи тока50%
Температура пайки выводов260°C for 10s
Recommended supply voltage5V to 24V
Диап. раб. темп.-55°C to 100°C
Recommended forward current16mA typ, 20mA max
Collector emitter voltage min55V
Emitter collector voltage min7V
Recommended collector current1mA to 10mA
Highest permissible overvoltage8000VPK
Collector dark current at 85c max50µA
Collector dark current at 85c typ2µA
Collector emitter capacitance typ10pF
Power dissipation per channel max100mW
Current transfer ratio rank gb min100%
Total package power dissipation max250mW
Maximum operating insulation voltage890VPK
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.4V
Collector power dissipation per channel max150mW

Заметили ошибку в описании или параметрах?