+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
TLP521-2XGB
Документация

Оптопара с транзисторным выходом x2 2.5kV 55V 0.05A Кус=50...600% NBC

Артикул:842827
У поставщика
ПроизводительIsocom
У поставщиков
2 412 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 412 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 18 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 142,39
от 4938,80
от 9835,87
от 19533,66
от 38932,00
Описание

Оптопара TLP521-2XGB от Isocom — это сдвоенный оптрон с транзисторным выходом в корпусе DIP-8. Устройство рассчитано на напряжение изоляции 2.5 кВ, максимальное напряжение коллектор-эмиттер 55 В и ток до 50 мА. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.

Технические характеристики
DeviceTLP521-2XGB
КорпусDIP8
Ul fileE91231
Тип монтажаTHT
ОписаниеDual channel optically coupled isolator with infrared LED and NPN silicon phototransistor, DIP8, VDE approval, CTR grade GB
Ctr grade gb100% to 600% at IF=5mA, VCE=5V; 30% min at IF=1mA, VCE=0.4V
Vde approvalДа
КорпусDIP-8
Lead free rohsДа
Vde certificate40028086
Время включения тип.3us
Напр. изоляции5300V RMS
Время выкл. тип.3us
Количество каналов2
Ctr grades availableBL: 200% to 600%; GB: 100% to 600%; GR: 100% to 300%
Output fall time typ3us
Output rise time typ4us
Current transfer ratio50% to 600% at IF=5mA, VCE=5V
Turn on time typ vcc5v2us
Turn off time typ vcc5v25us
Тип упаковкиTube (туба)
Сопротивление изоляции мин.5e10 ohm
Макс. емкость вывода250pF
Terminal capacitance typ30pF
Вх. ток макс.50mA
Макс. прямое вх. напр.1.3V
Input forward voltage typ1.15V
Обр. напр. вх. макс.6V
Диап. темп. хр.-55 to 125 degC
Температура пайки выводов260 degC for 10s
Макс. рассеиваемая мощность входа70mW
Диап. раб. темп.-30 to 100 degC
Макс. общая рассеиваемая мощность200mW
Макс. ток коллектора50mA
Макс. рассеиваемая мощность150mW
Описание (англ.)PHOTO TRANSISTOR OPTOCOUPLER
Input reverse leakage current max10uA
Collector emitter dark current max100nA
Макс. Uкэ55V
Макс. Uэк6V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.4V at IF=8mA, IC=2.4mA; 0.4V at IF=1mA, IC=0.2mA for GB

Заметили ошибку в описании или параметрах?