Документация
Микросхема TLP521-2GB
У поставщика
У поставщиков
3 400 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 330 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 95,22 |
| от 25 | 90,98 |
| от 250 | 75,30 |
Описание
Микросхема TLP521-2GB от Toshiba представляет собой сдвоенную оптопару с транзисторным выходом. Компонент обеспечивает гальваническую развязку между входными и выходными цепями, что необходимо для защиты чувствительной электроники от помех и высокого напряжения. Применяется в интерфейсах передачи данных, блоках питания, системах управления и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Вес | 0.54 g |
| Корпус | DIP-8 |
| Каналы | 2 |
| Тип монтажа | THT |
| Описание | Photocoupler with GaAs IRED and photo-transistor, dual channel, DIP-8 |
| Артикул | TLP521-2GB |
| Описание | Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Dual CTR >100% |
| Temperature ranges | Storage: -55 to 125 °C; Operating: -55 to 100 °C; Lead soldering: 260 °C (10 s) |
| Предельные значения | Forward current if: 70 mA; Reverse voltage vr: 5 V; Ток коллектора Ic: 50 mA; Total power derating: -2.5 mW/°C (Ta ≥ 25°C); Isolation voltage bvs: 2500 Vrms (AC, 1 min, RH ≤ 60%); Темп. перехода Tj: 125 °C; Collector power derating: -1.5 mW/°C (Ta ≥ 25°C); Forward current derating: -0.93 mA/°C (Ta ≥ 50°C); Pulse forward current ifp: 1 A (100 μs pulse, 100 pps); Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 55 V (min); Pк: 150 mW; Emitter collector voltage veco: 7 V; Total package power dissipation pt: 250 mW |
| Isolation characteristics | Isolation voltage bvs: Min: 2500 Vrms; Condition: AC, 1 min; Isolation resistance rs: Typ: 10^11 Ω; Condition: VS=500 V, RH ≤ 60%; Capacitance input output cs: Typ: 0.8 pF; Condition: VS=0, f=1 MHz |
| Switching characteristics | Fall time tf: Typ: 3 μs; Condition: VCC=10 V, IC=2 mA, RL=100 Ω; Rise time tr: Typ: 2 μs; Condition: VCC=10 V, IC=2 mA, RL=100 Ω; Storage time ts: Typ: 15 μs; Condition: VCC=5 V, RL=1.9 kΩ, IF=16 mA; Turn on time ton: Typ: 3 μs; Condition: VCC=10 V, IC=2 mA, RL=100 Ω; Turn on time ton2: Typ: 2 μs; Condition: VCC=5 V, RL=1.9 kΩ, IF=16 mA; Turn off time toff: Typ: 3 μs; Condition: VCC=10 V, IC=2 mA, RL=100 Ω; Turn off time toff2: Typ: 25 μs; Condition: VCC=5 V, RL=1.9 kΩ, IF=16 mA |
| Электрические характеристики | Capacitance ct: Typ: 30 pF; Condition: V=0, f=1 MHz; Capacitance cce: Typ: 10 pF; Condition: V=0, f=1 MHz; Прямое напряжение: Max: 1.3 V; Min: 1.0 V; Typ: 1.15 V; Condition: IF=10 mA; Reverse current ir: Max: 10 μA; Condition: VR=5 V; Collector dark current iceo: Max: 100 nA; Typ: 10 nA; Condition: VCE=24 V, Ta=25°C; Collector dark current iceo high temp: Max: 50 μA; Typ: 2 μA; Condition: VCE=24 V, Ta=85°C; Collector emitter breakdown voltage vbr ceo: Min: 55 V; Condition: IC=0.5 mA; Emitter collector breakdown voltage vbr eco: Min: 7 V; Condition: IE=0.1 mA |
| Recommended operating conditions | Forward current if: 16 to 25 mA; Supply voltage vcc: 5 to 24 V; Ток коллектора Ic: 1 to 10 mA; Раб. температура: -25 to 85 °C |
| Coupled electrical characteristics | Saturated ctr: Typ: 60%; Condition: IF=1 mA, VCE=0.4 V, Ta=25°C; Current transfer ratio ctr: Max: 600%; Min: 100%; Condition: IF=5 mA, VCE=5 V, Ta=25°C, Rank GB; Collector emitter saturation voltage vce sat: Max: 0.4 V; Typ: 0.2 V; Condition: IC=2.4 mA, IF=8 mA, Rank GB; Condition2: IC=0.2 mA, IF=1 mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?