Документация
TLP293(GB-TPL,E(T, SO-4
У поставщика
ПроизводительTOSHIBA
У поставщиков
8 700 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:8 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 2700 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 13,46 |
| от 100 | 10,76 |
| от 1 000 | 9,65 |
Описание
Оптоизолятор TLP293(GB-TPL,E(T от TOSHIBA выполнен в миниатюрном корпусе SO-4 для поверхностного монтажа. Обеспечивает гальваническую развязку до 3750 В, типовое время включения и выключения — 3 мкс. Подходит для промышленной автоматики, систем управления и блоков питания.
Технические характеристики
| Корпус | SO-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SO-4 |
| Мин. зазор | 5.0 mm |
| Тип. время спада | 3 µs |
| Тип. время нарастания | 2 µs |
| Dark current max | 0.08 µA |
| Станд. безоп. | UL1577, cUL, VDE EN60747-5-5, CQC GB4943.1, GB8898 |
| Storage time typ | 20 µs |
| Время включения тип. | 3 µs |
| Напр. изоляции | 3750 Vrms |
| Время выкл. тип. | 3 µs |
| Макс. ток коллектора | 50 mA |
| Мин. путь утечки | 5.0 mm |
| Тип. входная емкость | 30 pF |
| Сопротивление изоляции мин. | 1e12 Ω |
| Вх. ток макс. | 50 mA |
| Макс. прямое вх. напр. | 1.4 V |
| Input forward voltage typ | 1.25 V |
| Input reverse current max | 5 µA |
| Обр. напр. вх. макс. | 5 V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 125 °C |
| Коэф. передачи макс. | 600 % |
| Мин. коэфф. передачи тока | 100 % |
| Dark current test condition | VCE=48V |
| Диап. раб. темп. | -55 to 125 °C |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Макс. напр. К-Э | 80 V |
| Макс. Uэк | 7 V |
| Lead soldering temperature max | 260 °C |
| Макс. Pк | 150 mW |
| Input forward current pulsed max | 1 A |
| Internal isolation thickness min | 0.4 mm |
| Collector emitter capacitance typ | 10 pF |
| Saturation voltage test condition | IC=2.4mA, IF=8mA |
| Current transfer ratio test condition | IF=0.5mA, VCE=5V |
| Total capacitance input to output typ | 0.8 pF |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80 V |
| Emitter collector breakdown voltage min | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.3 V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?