Документация
TLP185GB-S, [SOP-4_P2.54]; Optocouplers - Phototransistor Output ROHS;=TLP185GB-S(TOSHIBA)
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
3 840 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 840 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,18 |
| от 500 | 3,94 |
Описание
Оптопара с фоттранзисторным выходом от UMW. Выполнена в миниатюрном корпусе SOP-4 для поверхностного монтажа с шагом выводов 2.54 мм. Обеспечивает гальваническую развязку с усиленной изоляцией, время нарастания/спада сигнала — 2 и 3 мкс соответственно. Подходит для промышленной автоматики, блоков питания и интерфейсов передачи данных.
Технические характеристики
| Шаг | 2.54mm |
| Корпус | SOP-4 |
| Тип монтажа | SMD |
| Clearance | 5.0mm |
| Упаковка | SO6 (4 pins used) |
| Артикул | TLP185GB-S |
| Корпус | SOP-4 |
| Тип. время спада | 3μs |
| Тип. время нарастания | 2μs |
| Pin assignment | 1:Anode, 3:Cathode, 4:Emitter, 6:Collector |
| Стандарт безопасности | UL1577, File No.E492440 |
| Dark current max | 0.08μA |
| Dark current typ | 0.01μA |
| Storage time typ | 25μs |
| Время включения тип. | 0.5μs |
| Путь утечки | 5.0mm |
| Время выкл. тип. | 40μs |
| Input power derating | -2.86mW/°C above 90°C |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Тип. входная емкость | 30pF |
| Dark current at 85c max | 50μA |
| Dark current at 85c typ | 2μA |
| Collector power derating | -1.5mW/°C above 25°C |
| Сопротивление изоляции мин. | 1e12Ω |
| Тип. сопр. изоляции | 1e14Ω |
| Isolation voltage dc min | 10000Vdc |
| Вх. ток макс. | 50mA |
| Макс. прямое вх. напр. | 1.4V |
| Input forward voltage min | 1.1V |
| Input forward voltage typ | 1.25V |
| Input reverse current max | 5μA |
| Обр. напр. вх. макс. | 5V |
| Isolation voltage rms min | 3750Vrms |
| Диап. темп. хр. | -55 to 125°C |
| Температура пайки выводов | 260°C for 10s |
| Макс. рассеиваемая мощность входа | 100mW |
| Диап. раб. темп. | -55 to 110°C |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 200mW |
| Internal isolation thickness | 0.4mm |
| Saturated ctr test condition | IF=1mA, VCE=0.4V |
| Макс. напр. К-Э | 80V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Макс. Pк | 150mW |
| Off state collector current max | 10μA |
| Input forward current pulsed max | 1A (PW≤100μs, f=100Hz) |
| Collector emitter capacitance typ | 10pF |
| Current transfer ratio rank gb max | 600% |
| Current transfer ratio rank gb min | 100% |
| Total capacitance input output typ | 0.8pF |
| Current transfer ratio test condition | IF=5mA, VCE=5V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.3V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 0.2V |
| Saturated current transfer ratio rank gb min | 30% |
Заметили ошибку в описании или параметрах?