Документация
TLP185(GB-TPL,SE(T, SO6-4 (TOSHIBA 11-4M1S)
У поставщика
ПроизводительTOSHIBA
У поставщиков
6 600 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт25,87 ₽
Сумма646,75 ₽
В наличии6 600 шт
от 25 штюрлицам и ИП
от 50 — 21,71 ₽ (−16%)
25 шт · Склад 12 · 646,75 ₽
Описание
Оптический изолятор TOSHIBA TLP185 в миниатюрном корпусе SO6-4 для поверхностного монтажа. Обеспечивает гальваническую развязку до 3750 В, работает с входным током до 50 мА и напряжением до 5 В. Подходит для промышленной автоматики и блоков питания.
Технические характеристики
| Ранг | GB |
| Вес | 0.08 g |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип корпуса | SO6-4 (TOSHIBA 11-4M1S) |
| Корпус | SO6-4 |
| Мин. зазор | 5.0 mm |
| Станд. безоп. | UL1577, cUL, CQC GB4943.1/GB8898, VDE EN60747-5-5 (option V4) |
| Напр. изоляции | 3750 Vrms |
| Макс. прямой ток | 50 mA |
| Макс. обратный ток | 5 μA |
| Макс. обратное напряжение | 5 V |
| Storage time typical | 30 μs |
| Turn on time typ alt | 2 μs |
| Время включения, тип. | 9 μs |
| Макс. ток коллектора | 50 mA |
| Мин. путь утечки | 5.0 mm |
| Прямое напряжение, диапазон | 1.1-1.4 V |
| Saturated ctr typical | 60% |
| Turn off time typ alt | 70 μs |
| Время выключения, тип. | 9 μs |
| Прямое напряжение типовое | 1.25 V |
| Мин. толщина изоляции | 0.4 mm |
| Сопротивление изоляции мин. | 1e12 Ω |
| Типовая входная емкость | 30 pF |
| Макс. импульсный прямой ток | 1 A |
| Saturated ctr min rank gb | 30% |
| Диап. темп. хр. | -55 to 125°C |
| Рассеиваемая мощность диода, макс. | 100 mW |
| Диап. раб. темп. | -55 to 110°C |
| Switching fall time typical | 9 μs |
| Switching rise time typical | 5 μs |
| Макс. напр. К-Э | 80 V |
| Макс. Uэк | 7 V |
| Тип. ёмкость изоляции | 0.8 pF |
| Collector dark current max 25c | 0.08 μA |
| Макс. темновой ток коллектора, 85 °C | 50 μA |
| Макс. Pк | 150 mW |
| Макс. ток коллектора в закрытом состоянии | 10 μA |
| Current transfer ratio range blank | 50-400% |
| Макс. рассеиваемая мощность корпуса | 200 mW |
| Current transfer ratio range rank gb | 100-400% |
| Collector emitter capacitance typical | 10 pF |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80 V |
| Мин. напряжение пробоя эмиттер-коллектор | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.3 V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?