Документация
TLP185(GB-TPL,SE(T, SO6-4 (TOSHIBA 11-4M1S)
У поставщика
ПроизводительTOSHIBA
У поставщиков
6 700 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:6 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 21 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,88 |
| от 50 | 21,71 |
Описание
Оптический изолятор TOSHIBA TLP185 в миниатюрном корпусе SO6-4 для поверхностного монтажа. Обеспечивает гальваническую развязку до 3750 В, работает с входным током до 50 мА и напряжением до 5 В. Подходит для промышленной автоматики и блоков питания.
Технические характеристики
| Rank | GB |
| Вес | 0.08 g |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип упаковки | SO6-4 (TOSHIBA 11-4M1S) |
| Корпус | SO6-4 |
| Мин. зазор | 5.0 mm |
| Станд. безоп. | UL1577, cUL, CQC GB4943.1/GB8898, VDE EN60747-5-5 (option V4) |
| Напр. изоляции | 3750 Vrms |
| Макс. прямой ток | 50 mA |
| Макс. обратный ток | 5 μA |
| Макс. обратное напряжение | 5 V |
| Storage time typical | 30 μs |
| Turn on time typ alt | 2 μs |
| Turn on time typical | 9 μs |
| Макс. ток коллектора | 50 mA |
| Мин. путь утечки | 5.0 mm |
| Forward voltage range | 1.1-1.4 V |
| Saturated ctr typical | 60% |
| Turn off time typ alt | 70 μs |
| Turn off time typical | 9 μs |
| Прямое напряжение типовое | 1.25 V |
| Insulation thickness min | 0.4 mm |
| Сопротивление изоляции мин. | 1e12 Ω |
| Типовая входная емкость | 30 pF |
| Pulse forward current max | 1 A |
| Saturated ctr min rank gb | 30% |
| Диап. темп. хр. | -55 to 125°C |
| Diode power dissipation max | 100 mW |
| Диап. раб. темп. | -55 to 110°C |
| Switching fall time typical | 9 μs |
| Switching rise time typical | 5 μs |
| Макс. напр. К-Э | 80 V |
| Макс. Uэк | 7 V |
| Isolation capacitance typical | 0.8 pF |
| Collector dark current max 25c | 0.08 μA |
| Collector dark current max 85c | 50 μA |
| Макс. Pк | 150 mW |
| Off state collector current max | 10 μA |
| Current transfer ratio range blank | 50-400% |
| Total package power dissipation max | 200 mW |
| Current transfer ratio range rank gb | 100-400% |
| Collector emitter capacitance typical | 10 pF |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80 V |
| Emitter collector breakdown voltage min | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.3 V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?