+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
TLP185(GB-TPL,SE(T
Документация

Оптопара с транзисторным выходом x1 3.75kV 80V 0.05A 0.15W 100...600% -55...+110C NBC

Артикул:775951
У поставщика
ПроизводительTOS
У поставщиков
32 616 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:32 616 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 56 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 112,64
от 46411,37
от 92710,51
от 1 8549,76
от 3 0009,29
Описание

Оптопара с транзисторным выходом от Toshiba (TOS) в компактном корпусе SO6. Рабочее напряжение до 80 В, ток до 0,05 А и мощность 0,15 Вт при изоляции 3,75 кВ. Подходит для гальванической развязки в промышленной автоматике и блоках питания.

Технические характеристики
ТипTLP185(GB-TPL,SE(T)
Корпусmini flat coupler
Тип монтажаSMD
Вес тип.0.08g
Корпус4 pin SO6 (TOSHIBA 11-4M1S)
Мин. зазор5.0mm
Тип. время спада9µs
Тип. время нарастания5µs
Станд. безоп.UL1577, cUL, CQC, VDE (option V4)
Время включения тип.9µs
Время выкл. тип.9µs
Макс. прямой ток50mA
Макс. прямое напряжение1.4V
Типовое прямое напряжение1.25V
Макс. обратный ток5µA
Макс. обратное напряжение5V
Макс. ток коллектора50mA
Мин. путь утечки5.0mm
Тип. входная емкость30pF
Изол. напр. RMS3750Vrms
Выходная емкость тип.10pF
Макс. темп. хр.125°C
Мин. темп. хр.-55°C
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Insulation thickness min0.4mm
Сопротивление изоляции мин.1e12Ω
Типовая изоляционная емкость0.8pF
Макс. раб. темп.110°C
Мин. раб. темп.-55°C
Diode power dissipation max100mW
Описание (англ.)Opto transistor x1 3.75kV 80V 0.05A 0.15W 100 ... 400% -55 ... + 110C NBC
Collector emitter voltage min80V
Current transfer ratio rank gb100% to 400%
Макс. Pк150mW
Off state collector current max10µA
Total package power dissipation max200mW
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.3V
Тип. напряжение насыщения К-Э0.2V

Заметили ошибку в описании или параметрах?