Документация
Оптопара TLP127
У поставщика
У поставщиков
3 000 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 840 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,75 |
| от 20 | 37,98 |
| от 200 | 32,94 |
Описание
Оптопара TLP127 от Toshiba представляет собой оптоэлектронный прибор с составным фототранзистором на выходе. Компонент обеспечивает гальваническую развязку цепей управления и нагрузки, что важно для защиты чувствительных схем. Благодаря высокому коэффициенту передачи тока (CTR) оптопара подходит для интерфейсов логических сигналов и управления силовыми ключами. Устройство выпускается в компактном DIP-корпусе для монтажа в отверстия.
Технические характеристики
| Тип | Optocoupler (GaAs Ired & Photo-Transistor, Darlington with base-emitter resistor) |
| Вес | 0.09g |
| Корпус | 11-4C1 mini flat coupler |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 6 |
| Стандарты | UL1577, file no. E67349 |
| Артикул | TLP127 |
| Применение | Programmable Controllers, DC-Output Module, Telecommunication |
| Производитель | Toshiba |
| Время хранения | typ 40µs at VCC=18V, IF=16mA, RL=100Ω |
| Время включения | typ 50µs at VCC=10V, IC=10mA, RL=100Ω; typ 5µs at VCC=18V, IF=16mA, RL=100Ω |
| Время выключения | typ 15µs at VCC=10V, IC=10mA, RL=100Ω; typ 80µs at VCC=18V, IF=16mA, RL=100Ω |
| UL признан | UL1577, file E67349 |
| Прямое напряжение | 1.0~1.3V (typ 1.15V) at IF=10mA |
| Обратный ток | max 10µA at VR=5V |
| Storage time typ | 40µs |
| Время включения тип. | 50µs |
| Вх. емкость | typ 30pF |
| Напр. изоляции | 2500Vrms (AC, 1min, RH≤60%); 5000Vrms (AC, 1s in oil); 5000Vdc (DC, 1min in oil) |
| Время выкл. тип. | 15µs |
| Выходная емкость | typ 12pF |
| Turn on time typ 2 | 5µs (VCC=18V, RL=100Ω, IF=16mA) |
| Макс. прямой ток | 50mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.3V (IF=10mA) |
| Типовое прямое напряжение | 1.15V |
| Max forward current | 50mA |
| Max reverse voltage | 5V |
| Макс. обратный ток | 10µA (VR=5V) |
| Макс. обратное напряжение | 5V |
| Темп. хранения | -55~125°C |
| Switching fall time | typ 15µs at VCC=10V, IC=10mA, RL=100Ω |
| Switching rise time | typ 40µs at VCC=10V, IC=10mA, RL=100Ω |
| Turn off time typ 2 | 80µs |
| Сопр. изоляции | min 5e10Ω, typ 1e14Ω at 500V, RH≤60% |
| Total power derating | -2.0mW/°C above 25°C |
| Макс. ток коллектора | 150mA |
| Тип. входная емкость | 30pF (V=0, f=1MHz) |
| Емк. изоляции | typ 0.8pF |
| Max collector current | 150mA |
| Раб. температура | -55~100°C |
| Collector dark current | max 200nA at VCE=200V, 25°C; max 20µA at VCE=200V, 85°C |
| Current transfer ratio | min 1000% (typ 4000%) at IF=1mA, VCE=1V; saturated min 500% at IF=10mA, VCE=1V |
| Выходная емкость тип. | 12pF (V=0, f=1MHz) |
| Max total package power | 200mW |
| Switching fall time typ | 15µs |
| Switching rise time typ | 40µs (VCC=10V, IC=10mA, RL=100Ω) |
| Collector power derating | -1.5mW/°C above 25°C |
| Forward current derating | -0.7mA/°C above 53°C |
| Hazardous substance note | GaAs dust and fumes are toxic |
| Сопротивление изоляции мин. | 5×10^10 Ω (VS=500V, RH≤60%) |
| Тип. сопр. изоляции | 10^14 Ω |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Типовая изоляционная емкость | 0.8pF (VS=0, f=1MHz) |
| Max pulse forward current | 1A (100µs pulse, 100pps) |
| Pulse forward current max | 1A (100µs pulse, 100pps) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 125°C |
| Темновой ток коллектора макс. | 200nA (VCE=200V, Ta=25°C) |
| Мин. коэфф. передачи тока | 1000% (IF=1mA, VCE=1V) |
| Current transfer ratio typ | 4000% (IF=1mA, VCE=1V) |
| Температура пайки выводов | 260°C for 10s |
| Recommended supply voltage | up to 200V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 100°C |
| Recommended forward current | 16~25mA |
| Total package power derating | 2.0mW/°C (Ta ≥ 25°C) |
| Макс. напр. К-Э | 300V |
| Макс. Uэк | 0.3V |
| Max collector emitter voltage | 300V |
| Max emitter collector voltage | 0.3V |
| Recommended collector current | up to 120mA |
| Collector dark current max 85c | 20µA (VCE=200V, Ta=85°C) |
| Recommended supply voltage max | 200V |
| Макс. Pк | 150mW |
| Max collector power dissipation | 150mW |
| Recommended forward current max | 25mA |
| Recommended forward current typ | 16mA |
| Recommended collector current max | 120mA |
| Recommended operating temperature | -25~85°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | min 300V at IC=0.1mA |
| Emitter collector breakdown voltage | min 0.3V at IE=0.1mA |
| Total package power dissipation max | 200mW |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | max 1.0V at IC=10mA, IF=1mA; max 1.2V at IC=100mA, IF=10mA (typ 0.3V) |
| Saturated current transfer ratio min | 500% (IF=10mA, VCE=1V) |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 300V (IC=0.1mA) |
| Emitter collector breakdown voltage min | 0.3V (IE=0.1mA) |
| Recommended operating temperature range | -25°C to 85°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 1.0V (IC=10mA, IF=1mA) |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 0.3V (IC=100mA, IF=10mA) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?