Оптопара TLP124(BV-TPLF)
У поставщика
У поставщиков
750 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:750 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 57,96 |
| от 20 | 53,27 |
Описание
Оптопара TLP124(BV-TPLF) от Toshiba в миниатюрном SMD-корпусе с 6 выводами. Обеспечивает гальваническую развязку до 3750 В, типовое время включения и выключения — 8–10 мкс. Подходит для гальванической изоляции цепей в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Тип | Photocoupler (GaAs IRED + Phototransistor) |
| Вес | 0.09g typ |
| Корпус | Mini flat coupler |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 4 |
| Размеры | — |
| Артикул | TLP124(BV-TPLF) |
| Производитель | Toshiba |
| Код упаковки | TOSHIBA 11-4C1 |
| Recognitions | UL1577, file No. E67349 |
| Тип. время спада | 8μs |
| Тип. время нарастания | 8μs (VCC=10V, IC=2mA, RL=100Ω) |
| Classification | BV (higher CTR) |
| UL признание | UL1577, File No. E67349 |
| Ctr rank bv min | 200% (IF=1mA, VCE=0.5V) |
| Storage time typ | 50μs (VCC=4.5V, RL=4.7kΩ, IF=1.6mA) |
| Время включения тип. | 10μs (RL=100Ω) |
| Ревизия документа | 2014-09-08 |
| Напр. изоляции | 3750Vrms (AC, 1 minute, R.H. ≤ 60%) |
| Low input ctr min | 50% (IF=0.5mA, VCE=1.5V) |
| Конфиг. выводов | 1:Anode, 3:Cathode, 4:emitter, 6:Collector |
| Время выкл. тип. | 8μs (RL=100Ω) |
| Datasheet revision | 2014-09-08 |
| Turn on time typ 2 | 10μs (VCC=4.5V, RL=4.7kΩ, IF=1.6mA) |
| Макс. прямой ток | 50mA |
| Макс. прямое напряжение | 1.3V (IF=10mA) |
| Мин. прямое напряжение | 1.0V |
| Типовое прямое напряжение | 1.15V |
| Макс. обратный ток | 10μA (VR=5V) |
| Макс. обратное напряжение | 5V |
| Turn off time typ 2 | 300μs (VCC=4.5V, RL=4.7kΩ, IF=1.6mA) |
| Макс. прямой ток | 1A (100μs pulse, 100pps) |
| Макс. ток коллектора | 50mA |
| Diode capacitance typ | 30pF |
| Тип. входная емкость | 30pF (V=0, f=1MHz) |
| Marking classification | Standard (blank) or Rank BV |
| Peak collector current | 100mA (10ms pulse, 100pps) |
| Предельные значения | Reverse vr: 5V; Power derating pc: -1.5 mW/°C (Ta ≥ 25°C); Forward current if: 50mA; Ток коллектора Ic: 50mA; Power dissipation pc: 150mW; Isolation voltage bvs: 3750 Vrms (AC, 1 min, RH ≤ 60%); Total package power pt: 200mW; Total power derating pt: -2.0 mW/°C (Ta ≥ 25°C); Forward current derating: -0.7 mA/°C (Ta ≥ 53°C); Peak forward current ifp: 1A (100μs pulse, 100pps); Storage temperature tstg: -55 to 125°C; Operating temperature topr: -55 to 100°C; Peak collector current icp: 100mA (10ms pulse, 100pps); Junction temperature tj led: 125°C; Emitter collector voltage vec: 7V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 80V; Lead soldering temperature tsol: 260°C (10s); Junction temperature tj detector: 125°C |
| Collector power derating | -1.5 mW/°C |
| Forward current derating | -0.7 mA/°C (Ta≥53°C) |
| Сопротивление изоляции мин. | 5e10 Ω (VS=500V, R.H.≤60%) |
| Тип. сопр. изоляции | 1e14 Ω |
| Макс. темп. перехода | 125°C |
| Пиковый прямой ток макс. | 1A (100μs pulse, 100pps) |
| Thermal derating factors | Detector power derating: -1.5 mW/°C (Ta ≥ 25°C); Forward current derating: -0.7 mA/°C (Ta ≥ 53°C); Total package power derating: -2.0 mW/°C (Ta ≥ 25°C) |
| Isolation characteristics | Isolation resistance rs: Min: 5×10^10 Ω; Typ: 10^14 Ω; Condition: VS = 500V, RH ≤ 60%; Isolation voltage bvs ac: Min: 3750 Vrms; Condition: AC, 1 minute; Isolation voltage bvs dc: Typ: 10000 Vdc; Condition: DC, 1 minute, in oil; Capacitance input to output cs: Typ: 0.8pF; Condition: VS = 0, f = 1MHz |
| Isolation voltage ac 1min | 3750Vrms min |
| Low input ctr rank bv min | 100% (IF=0.5mA, VCE=1.5V) |
| Диап. темп. хр. | -55 to 125°C |
| Switching characteristics | Fall time tf: Typ: 8μs; Condition: VCC = 10V, IC = 2mA, RL = 100Ω; Rise time tr: Typ: 8μs; Condition: VCC = 10V, IC = 2mA, RL = 100Ω; Storage time ts: Typ: 50μs; Condition: VCC = 4.5V, RL = 4.7kΩ, IF = 1.6mA; Turn on time ton: Typ: 10μs; Condition: VCC = 10V, IC = 2mA, RL = 100Ω; Turn off time toff: Typ: 8μs; Condition: VCC = 10V, IC = 2mA, RL = 100Ω; Turn off time toff low: Typ: 300μs; Condition: VCC = 4.5V, RL = 4.7kΩ, IF = 1.6mA |
| Темновой ток коллектора макс. | 100nA (VCE=48V, Ta=25°C) |
| Мин. коэфф. передачи тока | 100% (IF=1mA, VCE=0.5V) |
| Current transfer ratio typ | up to 1200% |
| Электрические характеристики | Capacitance ct: Typ: 30pF; Condition: V = 0, f = 1MHz; Прямое напряжение: Max: 1.3V; Min: 1.0V; Typ: 1.15V; Condition: IF = 10mA; Reverse current ir: Max: 10μA; Condition: VR = 5V; Collector dark current id: Max: 100nA (Ta=25°C, VCE=48V); Typ: 10nA (Ta=25°C, VCE=48V); Max 2: 50μA (Ta=85°C, VCE=48V); Typ 2: 2μA (Ta=85°C, VCE=48V); Capacitance collector to emitter cce: Typ: 12pF; Condition: V = 0, f = 1MHz; Collector emitter breakdown voltage vbr ceo: Min: 80V; Condition: IC = 0.5mA; Emitter collector breakdown voltage vbr eco: Min: 7V; Condition: IE = 0.1mA |
| Температура пайки выводов | 260°C (10s) |
| Peak collector current max | 100mA (10ms pulse, 100pps) |
| Recommended supply voltage | 5 to 48V |
| Диап. раб. темп. | -55 to 100°C |
| Recommended forward current | 1.6 to 20mA |
| Input output capacitance typ | 0.8pF (VS=0, f=1MHz) |
| Total package power derating | -2.0 mW/°C |
| Макс. напр. К-Э | 80V |
| Collector emitter voltage min | 80V |
| Макс. Uэк | 7V |
| Emitter collector voltage min | 7V |
| Recommended collector current | 1 to 10mA |
| Collector dark current max 85c | 50μA (VCE=48V, Ta=85°C) |
| Start of commercial production | 1988/04 |
| Макс. рек. напряжение питания | 48V |
| Мин. рек. напряжение питания | 5V |
| Supply voltage recommended typ | 5V |
| Макс. Pк | 150mW |
| Forward current recommended max | 20mA |
| Forward current recommended min | 1.6mA |
| Input to output capacitance typ | 0.8pF |
| Off state collector current max | 10μA (VF=0.7V, VCE=48V) |
| Recommended operating conditions | Forward current if: 1.6 to 20mA; Supply voltage vcc: 5 to 48V; Ток коллектора Ic: 1 to 10mA; Operating temperature topr: -25 to 75°C |
| Collector current recommended max | 10mA |
| Collector current recommended min | 1mA |
| Collector emitter capacitance typ | 12pF (V=0, f=1MHz) |
| Recommended operating temperature | -25 to 75°C |
| Coupled electrical characteristics | Ctr over temperature: Min rank bv: 100% (IF=1mA, VCE=0.5V, Ta=-25 to 75°C); Min standard: 50% (IF=1mA, VCE=0.5V, Ta=-25 to 75°C); Low input ctr ic if low: Condition: IF = 0.5mA, VCE = 1.5V, Ta=25°C; Min rank bv: 100%; Min standard: 50%; Current transfer ratio ctr: Max: 1200%; Condition: IF = 1mA, VCE = 0.5V, Ta=25°C; Min rank bv: 200%; Min standard: 100%; Low input ctr over temperature: Min rank bv: 100% (IF=0.5mA, VCE=1.5V, Ta=-25 to 75°C); Min standard: 50% (IF=0.5mA, VCE=1.5V, Ta=-25 to 75°C); Off state collector current ic off: Max: 10μA; Condition: VF = 0.7V, VCE = 48V; Collector emitter saturation voltage vce sat: Typ: 0.2V; Condition: IC = 1mA, IF = 1mA; Max rank bv: 0.4V; Max standard: 0.4V |
| Current transfer ratio rank bv min | 200% (IF=1mA, VCE=0.5V, Ta=25°C) |
| Total package power dissipation max | 200mW |
| Collector dark current high temp max | 50μA (VCE=48V, Ta=85°C) |
| Low input current transfer ratio min | 50% (IF=0.5mA, VCE=1.5V, Ta=25°C) |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80V |
| Emitter collector breakdown voltage min | 7V |
| Recommended operating temperature range | -25 to 75°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.4V (IC=0.5mA, IF=1mA) |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 0.2V (IC=1mA, IF=1mA) |
| Low input current transfer ratio rank bv min | 100% (IF=0.5mA, VCE=1.5V, Ta=25°C) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?