Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
485 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт63,07 ₽
Сумма946,05 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии485 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 35 — 58,13 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 946,05 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 353,95 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 946,05 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от TOS. Рассчитан на напряжение 600 В, ток 6 А и мощность 40 Вт, выпускается в корпусе TO-220SIS. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Вес | 1.7g typ |
| Маркировка | K6A60D |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 12ns typ |
| Время нарастания | 20ns typ |
| Технология | π-MOSⅦ |
| Применение | импульсный стабилизатор |
| Время включения | 40ns typ |
| Время выключения | 60ns typ |
| Drain current dc | 6A |
| Лавинный ток | 6A |
| Drain current pulse | 24A |
| Ток утечки затвора | ±1μA max |
| Общий заряд затвора (Qg) | 16nC typ |
| Drain cut off current | 10μA max |
| Forward voltage diode | -1.7V max |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 6nC typ |
| Время обратного восстановления | 1200ns typ |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 10nC typ |
| Пороговое напряжение затвора | 2.0 to 4.0V |
| Входная ёмкость Ciss | 800pF typ |
| Макс. температура канала | 150°C |
| Drain power dissipation | 40W |
| Выходная ёмкость Coss | 100pF typ |
| Заряд обратного восстановления | 10μC typ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Gate source voltage vgss | ±30V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 600V |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Сопротивление сток-исток | 1.0Ω typ, 1.25Ω max |
| Прямая передаточная проводимость | 3.0S typ |
| Pulse drain reverse current | 24A |
| Энергия лавины | 4.0mJ |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 600 V, 6A, 40W |
| Энергия лавины, одиночный импульс | 173mJ |
| Continuous drain reverse current | 6A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 4pF typ |
| Thermal resistance channel to case | 3.125°C/W |
| Thermal resistance channel to ambient | 62.5°C/W |
| Ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?