Документация
Логическая ИС TJA1050T/CM.118
В наличии
На своём складе
28 шт.
Норм. уп.: 1
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Москванаш складотгрузка сразу
Цена за шт54,69 ₽
Сумма546,93 ₽
В наличии28 шт
от 10 шт
от 20 — 53,25 ₽ (−3%)
10 шт · Москва · 546,93 ₽
Описание
Логическая ИС TJA1050T/CM.118 от NXP — это высокоскоростной CAN-трансивер. Работает при напряжении от 4,75 до 5,25 В, поддерживает скорость передачи до 1 Мбит/с и выпускается в корпусе SO8 для поверхностного монтажа. Применяется в промышленной автоматике и автомобильной электронике для организации надёжной шинной связи.
Технические характеристики
| Корпус | SO8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ширина корпуса | 3.9mm |
| Кол-во выводов | 8 |
| Версия корпуса | SOT96-1 |
| Макс. напр. пит. | 5.25V |
| Мин. напр. пит. | 4.75V |
| Макс. количество узлов | 110 |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. скорость передачи, бод | 1Мбод |
| Напряжение DC на выводе CANH макс. | 40V |
| Напряжение DC на выводе CANH мин. | -27V |
| Напряжение DC на выводе CANL макс. | 40V |
| Напряжение DC на выводе CANL мин. | -27V |
| Ток питания доминирующий макс. | 75mA |
| Ток питания доминирующий тип. | 50mA |
| Макс. ток питания в режиме ожидания | 10mA |
| Тип. ток питания в режиме ожидания | 5mA |
| Макс. входное напряжение низкого уровня TXD | 0.8V |
| Входное напряжение высокого уровня TXD, макс. | V_CC+0.3V |
| Входное напряжение высокого уровня TXD, мин. | 2.0V |
| Задержка распространения TXD→RXD, макс. | 250ns |
| Виртуальная температура перехода, макс. | 150°C |
| Мин. виртуальная температура перехода | -40°C |
| Макс. импульсное напряжение на выводе CANH | 200V |
| Мин. импульсное напряжение на выводе CANH | -200V |
| Макс. импульсное напряжение на выводе CANL | 200V |
| Мин. импульсное напряжение на выводе CANL | -200V |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда SO8 | 145K/W |
| Дифф. входное напряжение шины доминантное, макс. | 3V |
| Дифф. входное напряжение шины доминантное, мин. | 1.5V |
| Напряжение электростатического разряда, MM, макс. | 200V |
| Напряжение электростатического разряда, MM, мин. | -200V |
| Тепловое сопротивление кристалл-подложка, бескорпусной | 50K/W |
| Напряжение электростатического разряда, HBM, макс. | 4000V |
| Напряжение электростатического разряда, HBM, мин. | -4000V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?