Документация
Транзистор TIP41C
У поставщика
У поставщиков
1 488 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:1 378 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,52 |
Склад 12
В наличии:110 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 35,19 |
| от 20 | 29,66 |
Описание
Транзистор TIP41C от JSCJ — биполярный NPN-ключ средней мощности. Выдерживает ток коллектора до 6 А и напряжение до 100 В, рассеивает до 2 Вт. Подходит для линейных усилителей и ключевых схем в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN power transistor |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Шаг выводов: 2.40-2.70 mm; Ширина корпуса: 10.00-10.40 mm; Ширина вывода: 0.61-0.88 mm; Высота корпуса: 4.40-4.60 mm; Длина корпуса: 15.25-15.75 mm; Шаг строк: 4.95-5.15 mm; Lead thickness: 0.49-0.70 mm; Общая длина: 28.90 mm (includes pins); Диаметр монтажного отверстия: 3.75-3.85 mm |
| Технология | base island technology |
| Max ratings | Ток базы: 3A; Ток коллектора: 6A; Напряжение эмиттер-база: 5V; Напряжение коллектор-база: 100V; Collector peak current: 10A (tp<5ms); Общая рассеиваемая мощность: 65W (Tc=25°C); Макс. темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-эмиттер: 100V; Диап. темп. хр.: -65 to 150°C |
| Complementary | TIP42C |
| Ток коллектора | 6 A |
| Рассеиваемая мощность | 2 Вт |
| Макс. коэф. усиления DC | 75 |
| Hfe мин. | 30 |
| Напряжение база-эмиттер | 2 В |
| Напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Частота перехода | 3 МГц |
| Напряжение коллектор-база | 100 В |
| Ток отсечки эмиттера | 1 мА |
| Ток отсечки коллектора | 0.4 мА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 100 В |
| Электрические характеристики | Коэф. усиления DC: Group O: 24-44 (Ic=3A, Vce=4V); Group R: 15-28 (Ic=3A, Vce=4V); Group Y: 42-75 (Ic=3A, Vce=4V); HFE at low current: 30 (Ic=0.3A, Vce=4V); Ток отсечки эмиттера: 1 mA (Veb=5V); Напряжение насыщения база-эмиттер: 2V max (Ic=6A, Vce=4V); Ток отсечки коллектора CEO: 0.7 mA (Vce=60V); Collector cutoff current ces: 0.4 mA (Vce=100V); Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5V max (Ic=6A, Ib=0.6A); Напряжение коллектор-эмиттер: 100V (Ic=30mA) |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 ℃ |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 100 В |
| Collector emitter cutoff current | 0.7 мА |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 100 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?